公开(公告)号：CN118692928A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410304731.9

申请日：2024-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩丞镐 ,  金祐永 ,  李民雨 ,  文范基 ,  任京彬

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/492

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：制备分别包括具有金属焊盘和电介质层的键合层的第一衬底和第二衬底；对第一衬底和第二衬底中的每一个的键合层的表面执行平面化工艺；将湿法原子层蚀刻应用于键合层的表面，使得金属焊盘的表面凹进至目标深度；以及利用退火工艺将第一衬底的键合层键合至第二衬底的键合层。

公开(公告)号：CN117476497A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310854901.6

申请日：2023-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庸仁 ,  申东甲 ,  金祐永 ,  文范基 ,  文智媛 ,  白寅华 ,  石承大 ,  禹时雄 ,  张世训

IPC: H01L21/67

Abstract: 公开了一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括：装载锁定腔室，能够在大气压力状态与真空压力状态之间切换；以及基底处理设备，被配置为：将基底传送到装载锁定腔室和从装载锁定腔室传送基底，并且在真空环境下在等离子体腔室中对基底的表面执行等离子体处理。基底处理设备包括：基底载台，设置在等离子体腔室内并且被配置为支撑基底；等离子气体供应器，被配置为将等离子气体供应到等离子体腔室中；蒸汽供应器，被配置为将水蒸气供应到等离子体腔室中；以及等离子体生成器，被配置为在等离子体腔室中生成等离子体。