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公开(公告)号：CN106154766B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201610290516.3
申请日：2016-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于包括极紫外线(EUV)光刻的光刻工艺的保护膜可以减轻在保护膜的隔膜中的热积累。保护膜包括隔膜和在隔膜的至少一个表面上的至少一个热缓冲层。热缓冲层的发射率可以大于隔膜的发射率。热缓冲层的碳含量可以大于隔膜的碳含量。多个热缓冲层可以在隔膜的分开的表面上，热缓冲层可具有不同的性能。盖层可以在至少一个热缓冲层上，盖层可以包括抗氢材料。热缓冲层可以在隔膜的表面的某些部分或全部之上延伸。热缓冲层可以在至少两个隔膜之间。
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公开(公告)号：CN111158222A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201910846787.6
申请日：2019-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种化学物质供应结构和具有其的显影设备。所述化学物质供应结构包括：条形主体，所述条形主体具有多个化学物质贮存器，所述多个化学物质贮存器被配置为分别储存多种化学物质；条形喷嘴，所述条形喷嘴从所述主体的底表面突出，并且被配置为将由所述多种化学物质的混合所形成的喷射化学物质喷射到待处理的衬底上；以及疏水单元，所述疏水单元布置在所述主体的所述底表面上并布置在所述喷嘴的侧表面上，从而通过控制混合有所述喷射化学物质的混合溶液相对于所述底表面和所述侧表面的接触角来防止所述混合溶液粘附到所述底表面和所述侧表面。
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公开(公告)号：CN106154766A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610290516.3
申请日：2016-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于包括极紫外线(EUV)光刻的光刻工艺的保护膜可以减轻在保护膜的隔膜中的热积累。保护膜包括隔膜和在隔膜的至少一个表面上的至少一个热缓冲层。热缓冲层的发射率可以大于隔膜的发射率。热缓冲层的碳含量可以大于隔膜的碳含量。多个热缓冲层可以在隔膜的分开的表面上，热缓冲层可具有不同的性能。盖层可以在至少一个热缓冲层上，盖层可以包括抗氢材料。热缓冲层可以在隔膜的表面的某些部分或全部之上延伸。热缓冲层可以在至少两个隔膜之间。
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公开(公告)号：CN113796114A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080033698.0
申请日：2020-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及被提供用于支持超过第四代(4G)通信系统(诸如长期演进(LTE))的更高数据速率的预第五代(5G)或5G通信系统。提供了一种无线通信系统中用于操作管理设备的方法。该方法包括：分别获得多个小区的测量结果；基于测量结果，通过大气干扰来识别多个小区当中的干扰源小区和受干扰小区；以及对干扰源小区或受干扰小区中的至少一个执行干扰控制，其中测量结果包括与在测量小区的上行链路资源持续时间中测量的至少一个其他小区的下行链路信号相关的干扰信息和该至少一个其他小区的小区信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106406021A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610623699.6
申请日：2016-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了保护膜以及包括该保护膜的光掩模组件。一种保护膜包括保护膜隔膜，该保护膜隔膜包括多孔膜。该多孔膜包括多个纳米线，该多个纳米线彼此交叉地布置以形成网状结构。光掩模组件包括保护膜和光掩模，其中保护膜被固定到光掩模的表面。
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公开(公告)号：CN1940718A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610092790.6
申请日：2006-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F1/50 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/60 , G21K1/062 , G21K2201/061
Abstract: 一种校正半导体晶片中的临界尺寸(CD)的非一致性的方法，包括测量透射过或者反射自光掩模的多个区域中的光掩模的0级光。改变光掩模以均衡来自光掩模的0级光，使得晶片CD是一致的。可以通过例如在光掩模的后侧上形成相位光栅或者通过将遮蔽单元引入光掩模以改变光掩模的透射，来改变光掩模。
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