公开(公告)号：CN106154766A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610290516.3

申请日：2016-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全桓彻 ,  金文子 ,  权星元 ,  金炳局 ,  R.查利克 ,  郑镛席 ,  崔在爀

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种用于包括极紫外线(EUV)光刻的光刻工艺的保护膜可以减轻在保护膜的隔膜中的热积累。保护膜包括隔膜和在隔膜的至少一个表面上的至少一个热缓冲层。热缓冲层的发射率可以大于隔膜的发射率。热缓冲层的碳含量可以大于隔膜的碳含量。多个热缓冲层可以在隔膜的分开的表面上，热缓冲层可具有不同的性能。盖层可以在至少一个热缓冲层上，盖层可以包括抗氢材料。热缓冲层可以在隔膜的表面的某些部分或全部之上延伸。热缓冲层可以在至少两个隔膜之间。

公开(公告)号：CN106154766B

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201610290516.3

申请日：2016-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全桓彻 ,  金文子 ,  权星元 ,  金炳局 ,  R.查利克 ,  郑镛席 ,  崔在爀

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种用于包括极紫外线(EUV)光刻的光刻工艺的保护膜可以减轻在保护膜的隔膜中的热积累。保护膜包括隔膜和在隔膜的至少一个表面上的至少一个热缓冲层。热缓冲层的发射率可以大于隔膜的发射率。热缓冲层的碳含量可以大于隔膜的碳含量。多个热缓冲层可以在隔膜的分开的表面上，热缓冲层可具有不同的性能。盖层可以在至少一个热缓冲层上，盖层可以包括抗氢材料。热缓冲层可以在隔膜的表面的某些部分或全部之上延伸。热缓冲层可以在至少两个隔膜之间。