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公开(公告)号：CN106154766A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610290516.3
申请日：2016-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于包括极紫外线(EUV)光刻的光刻工艺的保护膜可以减轻在保护膜的隔膜中的热积累。保护膜包括隔膜和在隔膜的至少一个表面上的至少一个热缓冲层。热缓冲层的发射率可以大于隔膜的发射率。热缓冲层的碳含量可以大于隔膜的碳含量。多个热缓冲层可以在隔膜的分开的表面上，热缓冲层可具有不同的性能。盖层可以在至少一个热缓冲层上，盖层可以包括抗氢材料。热缓冲层可以在隔膜的表面的某些部分或全部之上延伸。热缓冲层可以在至少两个隔膜之间。
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公开(公告)号：CN107845573B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201710811888.0
申请日：2017-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/66
Abstract: 公开了一种调整用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸的方法，所述方法可以包括：确定标线的图像中的多个标线图案的第一特征尺寸的对应值，并且向包括在多个标线图案中的第一标线图案提供大气等离子体，第一标线图案具有与特征尺寸的目标值不同的特征尺寸的第一值。可以不向包括在多个标线图案中的第二标线图案提供大气等离子体，第二标线图案具有约等于目标值的特征尺寸的第二值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106406021A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610623699.6
申请日：2016-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了保护膜以及包括该保护膜的光掩模组件。一种保护膜包括保护膜隔膜，该保护膜隔膜包括多孔膜。该多孔膜包括多个纳米线，该多个纳米线彼此交叉地布置以形成网状结构。光掩模组件包括保护膜和光掩模，其中保护膜被固定到光掩模的表面。
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公开(公告)号：CN108663898B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201810264409.2
申请日：2018-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据示例性实施例，提供一种用于暴露到极紫外光(extreme ultraviolet light，EUVL)的护膜以及一种光刻系统，所述护膜包括护膜膜片以及贴合到所述护膜膜片的框架，其中所述护膜膜片包括碳系主层以及硼系增强层，所述碳系主层具有彼此相对的第一表面与第二表面，所述硼系增强层覆盖选自所述第一表面与所述第二表面中的至少一个表面。根据示例性实施例的护膜可在极紫外光曝光环境中使用较长的时间段。
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公开(公告)号：CN106154766B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201610290516.3
申请日：2016-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于包括极紫外线(EUV)光刻的光刻工艺的保护膜可以减轻在保护膜的隔膜中的热积累。保护膜包括隔膜和在隔膜的至少一个表面上的至少一个热缓冲层。热缓冲层的发射率可以大于隔膜的发射率。热缓冲层的碳含量可以大于隔膜的碳含量。多个热缓冲层可以在隔膜的分开的表面上，热缓冲层可具有不同的性能。盖层可以在至少一个热缓冲层上，盖层可以包括抗氢材料。热缓冲层可以在隔膜的表面的某些部分或全部之上延伸。热缓冲层可以在至少两个隔膜之间。
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公开(公告)号：CN108663898A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810264409.2
申请日：2018-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F1/64 , G03F1/22 , G03F1/24 , G03F1/62 , G03F7/2008 , G03F1/48 , G03F7/2004
Abstract: 根据示例性实施例，提供一种用于暴露到极紫外光(extreme ultraviolet light，EUVL)的护膜以及一种光刻系统，所述护膜包括护膜膜片以及贴合到所述护膜膜片的框架，其中所述护膜膜片包括碳系主层以及硼系增强层，所述碳系主层具有彼此相对的第一表面与第二表面，所述硼系增强层覆盖选自所述第一表面与所述第二表面中的至少一个表面。根据示例性实施例的护膜可在极紫外光曝光环境中使用较长的时间段。
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公开(公告)号：CN107845573A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710811888.0
申请日：2017-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/3026 , G01Q30/06 , G03F1/36 , G03F1/72 , G06F17/50 , G06F17/5081 , H01J2237/31771 , H01J2237/31776 , H01L21/311 , H01L21/32139 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 公开了一种调整用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸的方法，所述方法可以包括：确定标线的图像中的多个标线图案的第一特征尺寸的对应值，并且向包括在多个标线图案中的第一标线图案提供大气等离子体，第一标线图案具有与特征尺寸的目标值不同的特征尺寸的第一值。可以不向包括在多个标线图案中的第二标线图案提供大气等离子体，第二标线图案具有约等于目标值的特征尺寸的第二值。
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