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公开(公告)号:CN110109322B
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN201811376093.2
申请日:2018-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/84
Abstract: 提供了一种利用具有补偿的光信号来执行掩模图案测量的系统和方法,所述系统包括:板,构造为用于在其上安装反射极紫外(EUV)掩模;以及波带片,构造为将EUV光分为零级光和第一级光,并构造为使零级光和第一级光传输到反射EUV掩模。系统还包括:检测器,构造为接收由反射EUV掩模反射的EUV光,并包括构造为产生第一图像信号的零级光检测区域和构造为产生第二图像信号的第一级光检测区域;以及计算器,构造为从第一图像信号和第二图像信号产生补偿的第三图像信号。第三图像信号可以用于确定反射EUV掩模的掩模图案之间的距离。
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公开(公告)号:CN107845573B
公开(公告)日:2023-02-28
申请号:CN201710811888.0
申请日:2017-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/66
Abstract: 公开了一种调整用于制造半导体器件的标线图案的特征尺寸的方法,所述方法可以包括:确定标线的图像中的多个标线图案的第一特征尺寸的对应值,并且向包括在多个标线图案中的第一标线图案提供大气等离子体,第一标线图案具有与特征尺寸的目标值不同的特征尺寸的第一值。可以不向包括在多个标线图案中的第二标线图案提供大气等离子体,第二标线图案具有约等于目标值的特征尺寸的第二值。
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公开(公告)号:CN107113069B
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN201680005110.4
申请日:2016-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B17/13
Abstract: 本公开的实施例可以提供功耗控制方法和装置。本公开的实施例可以提供用于通过基站控制功耗的方法和装置,所述方法包括:确定至少一个子帧中的空符号持续时间;以及基于所述确定结果执行功率放大器(PA)打开/关闭操作。另外,本公开的实施例可以提供用于通过基站控制功耗的方法和装置,所述方法包括:产生基带同相/正交相(IQ)数据;确定对于预定时间基带IQ数据是否包括必须被发送的数据;以及基于确定结果和功率放大器(PA)的过渡来控制PA打开/关闭。
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公开(公告)号:CN103676461B
公开(公告)日:2019-09-06
申请号:CN201310432062.5
申请日:2013-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种波束成形器、采用该波束成形器的退火系统、对基底进行热处理的方法和制造半导体装置的方法。所述处理系统包括:能量源,产生沿着能量束路径发射的能量束。波束截面成形器沿着能量束路径布置,接收入射能量束并修改入射能量束的截面形状以输出形状修改的能量束。波束强度成形器沿着能量束路径布置,接收具有第一强度轮廓的入射能量束并输出具有第二强度轮廓的强度被修改的能量束,其中,所述第一强度轮廓在其中心区域具有相对最大平均强度,第二强度轮廓在其中心区域具有相对最小平均强度。
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公开(公告)号:CN103069895B
公开(公告)日:2018-05-04
申请号:CN201180040369.X
申请日:2011-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04W52/0206 , H03G3/3042 , H04W88/08 , Y02D70/1262 , Y02D70/1264 , Y02D70/146
Abstract: 提供了一种在基于正交频分多址(OFDMA)的无线通信系统中的基站的功率控制方法,用于通过对于不携载用户数据的符号的持续时间断开功率放大器的偏置来减少功耗。该方法包括:检查无线电资源的调度信息,基于该调度信息检查不携载用户数据的符号,以及对于不携载用户数据的符号的符号持续时间断开功率放大器的偏置。该发送功率控制方法通过对于其中不发送用户数据的符号持续时间断开基站的功率放大器的偏置,能够减少基站的功耗。
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公开(公告)号:CN1940718A
公开(公告)日:2007-04-04
申请号:CN200610092790.6
申请日:2006-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F1/50 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/60 , G21K1/062 , G21K2201/061
Abstract: 一种校正半导体晶片中的临界尺寸(CD)的非一致性的方法,包括测量透射过或者反射自光掩模的多个区域中的光掩模的0级光。改变光掩模以均衡来自光掩模的0级光,使得晶片CD是一致的。可以通过例如在光掩模的后侧上形成相位光栅或者通过将遮蔽单元引入光掩模以改变光掩模的透射,来改变光掩模。
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公开(公告)号:CN110109322A
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201811376093.2
申请日:2018-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/84
Abstract: 提供了一种利用具有补偿的光信号来执行掩模图案测量的系统和方法,所述系统包括:板,构造为用于在其上安装反射极紫外(EUV)掩模;以及波带片,构造为将EUV光分为零级光和第一级光,并构造为使零级光和第一级光传输到反射EUV掩模。系统还包括:检测器,构造为接收由反射EUV掩模反射的EUV光,并包括构造为产生第一图像信号的零级光检测区域和构造为产生第二图像信号的第一级光检测区域;以及计算器,构造为从第一图像信号和第二图像信号产生补偿的第三图像信号。第三图像信号可以用于确定反射EUV掩模的掩模图案之间的距离。
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公开(公告)号:CN113115418B
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202110334842.0
申请日:2016-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开的实施例可以提供功耗控制方法和装置。本公开的实施例可以提供用于通过基站控制功耗的方法和装置,所述方法包括:确定至少一个子帧中的空符号持续时间;以及基于所述确定结果执行功率放大器(PA)打开/关闭操作。另外,本公开的实施例可以提供用于通过基站控制功耗的方法和装置,所述方法包括:产生基带同相/正交相(IQ)数据;确定对于预定时间基带IQ数据是否包括必须被发送的数据;以及基于确定结果和功率放大器(PA)的过渡来控制PA打开/关闭。
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公开(公告)号:CN116390492A
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202211641558.9
申请日:2022-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B43/35 , H10B43/27 , H01L21/768
Abstract: 提供了三维半导体存储器件、制造其的方法和包括其的电子系统,该方法包括:形成包括交替地堆叠在半导体基板上的绝缘层和牺牲层的模结构,绝缘层暴露牺牲层的在半导体基板的连接区上的台阶状堆叠的端部;形成牺牲氧化物层以覆盖暴露的端部;分别在暴露的端部上形成牺牲垫图案;形成平坦化绝缘层以覆盖牺牲氧化物层和牺牲垫图案;形成垂直接触孔以穿透平坦化绝缘层、每个牺牲垫图案、牺牲氧化物层和模结构;去除每个牺牲垫图案以形成凹陷区;去除牺牲氧化物层的由凹陷区暴露的部分以形成扩展的凹陷区;以及形成单元接触插塞以填充垂直接触孔和扩展的凹陷区。
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公开(公告)号:CN108513346B
公开(公告)日:2021-06-01
申请号:CN201810316575.2
申请日:2011-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04W52/02
Abstract: 提供了一种用于控制基于正交频分多址OFDMA的无线通信系统中的基站的功率放大器的方法,所述方法包括:在所述基站的射频RF处,基于比特信息确定每个符号是否包括用户数据,所述比特信息位于在通用公共无线电接口CPRI上发送的帧的特定位置中;在所述RF处,控制在子帧中的第一符号的持续时间内关闭功率放大器的偏置,所述第一符号不包括用户数据;和在所述RF处,控制在所述子帧中的第二符号的持续时间内开启所述功率放大器的偏置,所述第二符号包括用户数据。
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