公开(公告)号：CN103676461B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201310432062.5

申请日：2013-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚炫 ,  查理·罗蒙 ,  朴钟主 ,  李东根 ,  金成洙

IPC: G03F1/24 ,  G02B27/09 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种波束成形器、采用该波束成形器的退火系统、对基底进行热处理的方法和制造半导体装置的方法。所述处理系统包括：能量源，产生沿着能量束路径发射的能量束。波束截面成形器沿着能量束路径布置，接收入射能量束并修改入射能量束的截面形状以输出形状修改的能量束。波束强度成形器沿着能量束路径布置，接收具有第一强度轮廓的入射能量束并输出具有第二强度轮廓的强度被修改的能量束，其中，所述第一强度轮廓在其中心区域具有相对最大平均强度，第二强度轮廓在其中心区域具有相对最小平均强度。

公开(公告)号：CN103676461A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310432062.5

申请日：2013-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚炫 ,  查理·罗蒙 ,  朴钟主 ,  李东根 ,  金成洙

IPC: G03F1/24 ,  G02B27/09 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种波束成形器、采用该波束成形器的退火系统、对基底进行热处理的方法和制造半导体装置的方法。所述处理系统包括：能量源，产生沿着能量束路径发射的能量束。波束截面成形器沿着能量束路径布置，接收入射能量束并修改入射能量束的截面形状以输出形状修改的能量束。波束强度成形器沿着能量束路径布置，接收具有第一强度轮廓的入射能量束并输出具有第二强度轮廓的强度被修改的能量束，其中，所述第一强度轮廓在其中心区域具有相对最大平均强度，第二强度轮廓在其中心区域具有相对最小平均强度。