公开(公告)号：CN109839391B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201811383582.0

申请日：2018-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋弦昔 ,  姜仁勇 ,  朴钟主

IPC: G01N23/00

Abstract: 在检测缺陷的方法中，可以使用第一电子束来初步扫描衬底的区域以检测第一缺陷。可以使用第二电子束来二次扫描所述衬底的剩余区域以检测第二缺陷，所述衬底的所述剩余区域可以是通过从所述衬底的所述区域中排除所述第一缺陷可能位于的部分来定义的。因此，可以在随后的扫描过程中不扫描具有缺陷的部分，从而可以显着地减少扫描时间。

公开(公告)号：CN103676461B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201310432062.5

申请日：2013-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚炫 ,  查理·罗蒙 ,  朴钟主 ,  李东根 ,  金成洙

IPC: G03F1/24 ,  G02B27/09 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种波束成形器、采用该波束成形器的退火系统、对基底进行热处理的方法和制造半导体装置的方法。所述处理系统包括：能量源，产生沿着能量束路径发射的能量束。波束截面成形器沿着能量束路径布置，接收入射能量束并修改入射能量束的截面形状以输出形状修改的能量束。波束强度成形器沿着能量束路径布置，接收具有第一强度轮廓的入射能量束并输出具有第二强度轮廓的强度被修改的能量束，其中，所述第一强度轮廓在其中心区域具有相对最大平均强度，第二强度轮廓在其中心区域具有相对最小平均强度。

公开(公告)号：CN113494966A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110238755.5

申请日：2021-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟主 ,  李来源 ,  韩学承 ,  金成洙

IPC: G01J9/00

Abstract: 本公开提供了用于测量极紫外(EUV)掩模的相位的装置和方法及制造掩模的方法。用于测量EUV掩模的相位的装置包括：EUV光源，配置为产生并输出EUV光；至少一个反射镜，配置为反射EUV光作为入射在要测量的EUV掩模上的被反射的EUV光；掩模台，EUV掩模布置在该掩模台上；检测器，配置为接收从EUV掩模反射的EUV光，以获得二维(2D)图像，并测量EUV掩模的反射率和衍射效率；以及处理器，配置为通过使用EUV掩模的反射率和衍射效率来确定EUV掩模的相位。

公开(公告)号：CN119673804A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411242567.X

申请日：2024-09-05

Applicant: 细美事有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 成进荣 ,  崔基熏 ,  吴承彦 ,  朴永镐 ,  柳相铉 ,  李章晋 ,  尹铉 ,  李相建 ,  赵裕珍 ,  黄浩钟 ,  朴钟主 ,  吴钟根 ,  金容宇

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种衬底处理装置，其包括：支撑单元，包括转动卡盘以及在转动卡盘上的定心夹具，转动卡盘被配置为支撑并旋转衬底；喷洒单元，被配置为将处理液喷洒到衬底上；摆臂，包括校正单元，该校正单元包括传感器和发射器，摆臂被配置为移动使得校正单元移动到衬底上的目标点，并且发射器被配置为朝向衬底照射光束；以及控制器，被配置为：控制转动卡盘和摆臂；并且基于通过传感器获得的与定心夹具有关的信息确定摆臂的移动轨迹是否与转动卡盘的旋转中心对准。

公开(公告)号：CN117192885A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310657956.8

申请日：2023-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴钟根 ,  金容宇 ,  鲁秀智 ,  朴钟主

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/72

Abstract: 提供了制造光掩模的方法和制造半导体器件的方法。所述制造光掩模的方法包括：形成包括多个图案元素的光掩模，其中，所述多个图案元素包括具有临界尺寸偏差的校正目标图案元素；获取局部CD校正信息；将激光束导向数字微镜器件(DMD)的镜阵列，其中，所述镜阵列具有以多个行和多个列布置的镜；通过基于所述局部CD校正信息控制每个所述镜的开启/关闭切换，将所述激光束转换成与所述镜阵列相对应的光束图案阵列；通过经由光学系统聚焦所述光束图案阵列来形成线性光束；向所述光掩模施加蚀刻剂并将所述线性光束导向所述光掩模，并且移动所述线性光束以照射所述光掩模。

公开(公告)号：CN112305853A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010709170.2

申请日：2020-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩学承 ,  朴相昱 ,  朴钟主 ,  李来原

IPC: G03F1/36 ,  G03F1/52 ,  G03F1/76 ,  H01L21/027

Abstract: 公开了光掩模制造方法和半导体器件制造方法。该光掩模制造方法包括：在具有图像区域和围绕图像区域的边缘区域的掩模衬底上形成反射层；在反射层上形成吸收图案；将第一激光束照射到边缘区域上的反射层和吸收图案以形成黑色边界；使用具有黑色边界的光掩模向测试衬底提供极紫外(EUV)光束以形成测试图案；获得测试图案的临界尺寸校正图；以及使用临界尺寸校正图将第二激光束照射到图像区域一部分上的反射层，以形成比黑色边界厚的被退火区域。

公开(公告)号：CN119517788A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411107471.2

申请日：2024-08-13

Applicant: 细美事有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 成进荣 ,  崔基熏 ,  吴承彦 ,  朴永镐 ,  柳相铉 ,  李章晋 ,  尹铉 ,  李相建 ,  赵裕珍 ,  黄浩钟 ,  朴钟主 ,  吴钟根 ,  金容宇

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种控制设备以及一种包括该控制设备的衬底处理装置。该衬底处理装置包括：支撑单元，包括转动头，并且被配置为支撑并旋转衬底；喷洒单元，被配置为将处理液喷洒到衬底上；校正单元，在摆臂中，该校正单元被配置为当处理液被喷洒到衬底上时移动到衬底上的目标点并且照射光束；以及控制单元，被配置为计算目标点，其中，控制单元被配置为转换与第一坐标系相关联的图像坐标，并且然后通过将与第一坐标系相关联的图像坐标转换为与第二坐标系相关联的图像坐标来计算目标点，并且第二坐标系基于转动头和摆臂的旋转角度。

公开(公告)号：CN114355721A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111179241.3

申请日：2021-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴钟根 ,  朴相昱 ,  曹敬千 ,  朴钟主

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/54

Abstract: 提供了一种方法。所述方法包括：制备掩模坯，掩模坯包括基板、设置在基板上用于反射极紫外光的反射层以及设置在反射层上的光吸收层；通过从光吸收层形成具有目标临界尺寸的多个图案元素来提供光掩模，其中所述多个图案元素包括待校正的校正目标图案元素，并且校正目标图案元素具有不同于目标临界尺寸的临界尺寸；识别光掩模的设置有校正目标图案元素的校正目标区域；将蚀刻剂施加于光掩模；以及在蚀刻剂被提供在光掩模上的同时，将激光束照射到校正目标区域。

公开(公告)号：CN109839391A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811383582.0

申请日：2018-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋弦昔 ,  姜仁勇 ,  朴钟主

IPC: G01N23/00

Abstract: 在检测缺陷的方法中，可以使用第一电子束来初步扫描衬底的区域以检测第一缺陷。可以使用第二电子束来二次扫描所述衬底的剩余区域以检测第二缺陷，所述衬底的所述剩余区域可以是通过从所述衬底的所述区域中排除所述第一缺陷可能位于的部分来定义的。因此，可以在随后的扫描过程中不扫描具有缺陷的部分，从而可以显着地减少扫描时间。

公开(公告)号：CN103676461A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310432062.5

申请日：2013-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚炫 ,  查理·罗蒙 ,  朴钟主 ,  李东根 ,  金成洙

IPC: G03F1/24 ,  G02B27/09 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种波束成形器、采用该波束成形器的退火系统、对基底进行热处理的方法和制造半导体装置的方法。所述处理系统包括：能量源，产生沿着能量束路径发射的能量束。波束截面成形器沿着能量束路径布置，接收入射能量束并修改入射能量束的截面形状以输出形状修改的能量束。波束强度成形器沿着能量束路径布置，接收具有第一强度轮廓的入射能量束并输出具有第二强度轮廓的强度被修改的能量束，其中，所述第一强度轮廓在其中心区域具有相对最大平均强度，第二强度轮廓在其中心区域具有相对最小平均强度。