制造光掩模的方法和制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN117192885A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202310657956.8

    申请日:2023-06-05

    Abstract: 提供了制造光掩模的方法和制造半导体器件的方法。所述制造光掩模的方法包括:形成包括多个图案元素的光掩模,其中,所述多个图案元素包括具有临界尺寸偏差的校正目标图案元素;获取局部CD校正信息;将激光束导向数字微镜器件(DMD)的镜阵列,其中,所述镜阵列具有以多个行和多个列布置的镜;通过基于所述局部CD校正信息控制每个所述镜的开启/关闭切换,将所述激光束转换成与所述镜阵列相对应的光束图案阵列;通过经由光学系统聚焦所述光束图案阵列来形成线性光束;向所述光掩模施加蚀刻剂并将所述线性光束导向所述光掩模,并且移动所述线性光束以照射所述光掩模。

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