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发明公开
测量EUV掩模的相位的装置和方法及制造掩模的方法审中-实审

公开(公告)号：CN113494966A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110238755.5

申请日：2021-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟主 , 李来源 , 韩学承 , 金成洙

IPC: G01J9/00

Abstract: 本公开提供了用于测量极紫外(EUV)掩模的相位的装置和方法及制造掩模的方法。用于测量EUV掩模的相位的装置包括：EUV光源，配置为产生并输出EUV光；至少一个反射镜，配置为反射EUV光作为入射在要测量的EUV掩模上的被反射的EUV光；掩模台，EUV掩模布置在该掩模台上；检测器，配置为接收从EUV掩模反射的EUV光，以获得二维(2D)图像，并测量EUV掩模的反射率和衍射效率；以及处理器，配置为通过使用EUV掩模的反射率和衍射效率来确定EUV掩模的相位。

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