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发明公开
制造极紫外（EUV）光掩模的方法及校正EUV光掩模的方法和装置审中-实审

公开(公告)号：CN114355721A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111179241.3

申请日：2021-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴钟根 , 朴相昱 , 曹敬千 , 朴钟主

IPC: G03F1/22 , G03F1/24 , G03F1/54

Abstract: 提供了一种方法。所述方法包括：制备掩模坯，掩模坯包括基板、设置在基板上用于反射极紫外光的反射层以及设置在反射层上的光吸收层；通过从光吸收层形成具有目标临界尺寸的多个图案元素来提供光掩模，其中所述多个图案元素包括待校正的校正目标图案元素，并且校正目标图案元素具有不同于目标临界尺寸的临界尺寸；识别光掩模的设置有校正目标图案元素的校正目标区域；将蚀刻剂施加于光掩模；以及在蚀刻剂被提供在光掩模上的同时，将激光束照射到校正目标区域。

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