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公开(公告)号：CN100559269C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200410096351.3
申请日：2004-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/70191 , G02B5/1871 , G02B27/09 , G02B27/0927 , G02B27/0938 , G02B27/46 , G03F1/50
Abstract: 一种用于利用构图辐射来构图集成电路器件的光掩模，包括：透明基板、辐射阻挡区图形、辐射阻挡区阵列和遮蔽元件阵列。透明基板具有第一和第二相对表面，而辐射阻挡区图形在透明基板的第一和/或第二表面中的至少一个上。此外，辐射阻挡区图形限定要被转移到集成电路基板上的图形。遮蔽元件阵列设置在第一与第二相对表面之间的透明基板内，其中遮蔽元件阵列的光透射特性与透明基板的相邻部分的不同。此外，穿过包含遮蔽元件阵列的透明基板部分的构图辐射的透射率大于近似20%。还公开了相关方法和系统。
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公开(公告)号：CN1437069A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN02131645.7
申请日：2002-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70125 , G03F1/34 , G03F1/50
Abstract: 提供了一种能够实现轴外照射(OAI)的光掩模和制造该光掩模的方法。此光掩模包含透明衬底；形成在透明衬底前表面上的多个不透明图形，用于限定形成图形散光照明部分；形成在透明衬底背面上的多个相位光栅，允许超过曝光装置的OAI极限的入射光源的轴外照射(OAI)，允许用在孔的最外区，允许修正的照射具有适于不透明图形的布局的形状。
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公开(公告)号：CN101814421B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200910258448.2
申请日：2009-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/0273 , Y10S430/106 , Y10S430/114
Abstract: 本发明提供一种形成半导体器件的精细图案的方法。该方法包括：在衬底上形成多个第一掩模图案，使得多个第一掩模图案在平行于衬底的主表面的方向上由位于其间的空间彼此分隔开；在多个第一掩模图案的侧壁和顶表面形成多个盖膜，该盖膜由在溶剂中具有第一溶解度的第一材料形成。该方法还包括形成由在该溶剂中具有第二溶解度的第二材料形成的第二掩模层，以填充位于多个第一掩模图案之间的空间，其中第二溶解度小于第一溶解度；以及形成与所述第二掩模层的剩余部分相对应的多个第二掩模图案，其中所述第二掩模层的剩余部分是在利用溶剂去除多个盖膜和一部分第二掩模层之后保留在位于多个第一掩模图案之间的空间中的部分。
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公开(公告)号：CN101398624B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200810165695.3
申请日：2008-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/028 , G03F7/004 , C07C321/12 , C07D333/46 , C07D335/02 , C07D339/08
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C309/65 , C07C381/12 , C07D327/06 , C07D333/46 , C07D335/02 , C07D339/08 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及光致产酸剂、包括其的化学增幅抗蚀剂组合物及相关方法。由式1或式2表示的光致产酸剂，其中R1、R2和R3各自独立地为C1-C10烷基，X为与S+形成环的C3-C20脂环烃基团，并且该脂环烃基团中的至少一个CH2可被选自S、O、NH、羰基和R5-S+A-中的至少一种代替，其中R5为C1-C10烷基，且A-为平衡离子。(式1)，(式2)。
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公开(公告)号：CN101814421A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910258448.2
申请日：2009-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/0273 , Y10S430/106 , Y10S430/114
Abstract: 本发明提供一种形成半导体器件的精细图案的方法。该方法包括：在衬底上形成多个第一掩模图案，使得多个第一掩模图案在平行于衬底的主表面的方向上由位于其间的空间彼此分隔开；在多个第一掩模图案的侧壁和顶表面形成多个盖膜，该盖膜由在溶剂中具有第一溶解度的第一材料形成。该方法还包括形成由在该溶剂中具有第二溶解度的第二材料形成的第二掩模层，以填充位于多个第一掩模图案之间的空间，其中第二溶解度小于第一溶解度；以及形成与所述第二掩模层的剩余部分相对应的多个第二掩模图案，其中所述第二掩模层的剩余部分是在利用溶剂去除多个盖膜和一部分第二掩模层之后保留在位于多个第一掩模图案之间的空间中的部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101122737A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710005269.9
申请日：2007-02-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种其对准误差已经被校正的光掩模，以及校正光掩模的对准误差的方法。光掩模包括光掩模衬底、在光掩模衬底的一个表面上形成的光学图形、以及在光掩模衬底中形成的多个应力产生部分。校正光掩模的对准误差的方法包括以下步骤：在光掩模衬底上形成光学图形、测量光学图形的对准误差、以及在光掩模衬底中形成多个应力产生部分，使得应力产生部分对应于所测量的对准误差。
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公开(公告)号：CN1312529C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN02131645.7
申请日：2002-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70125 , G03F1/34 , G03F1/50
Abstract: 提供了一种能够实现轴外照射(OAI)的光掩模和制造该光掩模的方法。此光掩模包含透明衬底；形成在透明衬底前表面上的多个不透明图形，用于限定形成图形散光照明部分；形成在透明衬底背面上的多个相位光栅，允许超过曝光装置的OAI极限的入射光源的轴外照射(OAI)，允许用在孔的最外区，允许修正的照射具有适于不透明图形的布局的形状。
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公开(公告)号：CN101398624A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810165695.3
申请日：2008-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/028 , G03F7/004 , C07C321/12 , C07D333/46 , C07D335/02 , C07D339/08
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C309/65 , C07C381/12 , C07D327/06 , C07D333/46 , C07D335/02 , C07D339/08 , G03F7/0392
Abstract: 本发明涉及光致产酸剂、包括其的化学增幅抗蚀剂组合物及相关方法。由式1或式2表示的光致产酸剂，其中R1、R2和R3各自独立地为C1－C10烷基，X为与S+形成环的C3－C20脂环烃基团，并且该脂环烃基团中的至少一个CH2可被选自S、O、NH、羰基和R5－S+A－中的至少一种代替，其中R5为C1－C10烷基，且A－为平衡离子。
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公开(公告)号：CN1940718A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610092790.6
申请日：2006-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F1/50 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/60 , G21K1/062 , G21K2201/061
Abstract: 一种校正半导体晶片中的临界尺寸(CD)的非一致性的方法，包括测量透射过或者反射自光掩模的多个区域中的光掩模的0级光。改变光掩模以均衡来自光掩模的0级光，使得晶片CD是一致的。可以通过例如在光掩模的后侧上形成相位光栅或者通过将遮蔽单元引入光掩模以改变光掩模的透射，来改变光掩模。
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公开(公告)号：CN1621941A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410096351.3
申请日：2004-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/70191 , G02B5/1871 , G02B27/09 , G02B27/0927 , G02B27/0938 , G02B27/46 , G03F1/50
Abstract: 一种用于利用构图辐射来构图集成电路器件的光掩模，包括：透明基板、辐射阻挡区图形、辐射阻挡区阵列和遮蔽元件阵列。透明基板具有第一和第二相对表面，而辐射阻挡区图形在透明基板的第一和/或第二表面中的至少一个上。此外，辐射阻挡区图形限定要被转移到集成电路基板上的图形。遮蔽元件阵列设置在第一与第二相对表面之间的透明基板内，其中遮蔽元件阵列的光透射特性与透明基板的相邻部分的不同。此外，穿过包含遮蔽元件阵列的透明基板部分的构图辐射的透射率大于近似20％。还公开了相关方法和系统。
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