公开(公告)号：CN118011739A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311481913.5

申请日：2023-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵硕钟 ,  朴强浩 ,  申文圭 ,  李明秀 ,  李昊骏

IPC: G03F7/20

Abstract: 公开了掩模曝光系统、掩模曝光方法和电子束校正方法。该掩模曝光系统包括：腔室；配置为接收掩模的载物台；一个或更多个掩模温度传感器；配置为将电子束照射在掩模上的束源；偏转器，配置为在腔室中通过基于施加到偏转器的电压电平使电子束偏转来调节电子束照射在掩模上的位置；配置为测量腔室的内部温度的腔室温度传感器；以及控制器，配置为控制电子束的偏转方向和偏转程度。控制器配置为基于掩模的温度和腔室的内部温度之间的差异来校正施加到偏转器的电压电平。

公开(公告)号：CN114664792A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111570986.2

申请日：2021-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 汉元奎 ,  李明秀 ,  金洛焕 ,  张宇镇

IPC: H01L23/538

Abstract: 一种集成电路器件包括衬底和在衬底上的第一电绝缘层。提供导电的接触插塞，其至少部分地延伸穿过第一电绝缘层。接触插塞包括突起，该突起具有相对于第一电绝缘层的与接触插塞相邻延伸的部分的顶表面与衬底间隔更远的顶表面。导电线提供有在突起的第一部分上延伸的末端。提供第二电绝缘层，其在突起的第二部分上以及在第一电绝缘层上延伸。第二电绝缘层具有侧壁，该侧壁与导电线的末端的侧壁相对地延伸。

公开(公告)号：CN109901358A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201811502452.4

申请日：2018-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐焕锡 ,  李明秀 ,  李炳勋

IPC: G03F1/38 ,  G03F1/42 ,  G03F1/44 ,  G03F1/54 ,  G03F1/72

Abstract: 提供了一种光掩模及其制造方法。该光掩模包括：低热膨胀材料(LTEM)基板，包括第一表面和第二表面；设置在低热膨胀材料基板的第一表面上并且包括交替堆叠的第一材料层和第二材料层的反射层；在反射层上的光吸收图案；和在低热膨胀材料基板的第二表面上的导电层，其中低热膨胀材料基板包括校正光吸收图案的校正缺陷，并且导电层由钌氧化物(RuO2)、铱氧化物(IrO2)和/或其组合中的一种形成。

公开(公告)号：CN101122737A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710005269.9

申请日：2007-02-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明秀 ,  裴硕钟 ,  李贞勋 ,  崔成云 ,  金炳局

IPC: G03F1/14 ,  G03F7/09 ,  G03F9/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/72 ,  G03F1/38 ,  G03F1/60

Abstract: 提供一种其对准误差已经被校正的光掩模，以及校正光掩模的对准误差的方法。光掩模包括光掩模衬底、在光掩模衬底的一个表面上形成的光学图形、以及在光掩模衬底中形成的多个应力产生部分。校正光掩模的对准误差的方法包括以下步骤：在光掩模衬底上形成光学图形、测量光学图形的对准误差、以及在光掩模衬底中形成多个应力产生部分，使得应力产生部分对应于所测量的对准误差。