-
公开(公告)号：CN105610470B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201510772171.0
申请日：2015-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04B5/00 , H04B5/02 , H04B1/3827
Abstract: 提供了嵌入可穿戴电子装置中的近场通信芯片及可穿戴电子装置。根据示例实施例的可穿戴电子装置包括：显示面板，被配置成显示图像；主板，包括被配置成控制可穿戴电子装置的操作的处理器；金属框，限定可穿戴电子装置的周界，金属框包括金属材料，金属框具有第一端子和第二端子，第一端子与第二端子相邻并且在第一端子与第二端子之间具有缝隙；回路天线，在显示面板与主板之间，回路天线被配置成连接到金属框的第一端子和第二端子；近场通信(NFC)芯片，被配置成连接到金属框和回路天线，NFC芯片被配置成通过利用金属框和回路天线发送或接收NFC信号来执行近场通信。
-
公开(公告)号：CN105591199B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201510648437.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04M1/026 , H01Q1/00 , H01Q1/243 , H01Q7/005 , H04M1/0249 , H04M1/72575 , H04M2201/08 , H04M2250/04 , H04W88/06
Abstract: 可以提供移动装置的壳体、近场通信收发器和移动装置，所述移动装置的壳体包括：框架，限定移动装置的周边，框架包括第一金属材料并被构造为作为用于第一无线通信的第一天线来操作；以及盖，被构造为覆盖移动装置的至少一个表面，盖包括第二金属材料，并且框架的至少一部分和盖被构造为作为用于第二无线通信的第二天线来操作。
-
-
公开(公告)号：CN117452766A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310811505.5
申请日：2023-07-03
IPC: G03F1/62
Abstract: 本发明涉及用于光刻的保护膜片、包括其的表膜和其形成方法。本文中提供用于光刻的保护膜片，其包括：包括碳的芯层、在所述芯层上的界面层、和在所述界面层上的保护层。所述界面层包括键合至所述芯层的碳原子的反应性基团，并且所述反应性基团包括氧或氮。所述保护层包括元素“M”，并且元素“M”键合至所述反应性基团的氧或氮。
-
公开(公告)号：CN101246736B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200810009907.9
申请日：2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
CPC classification number: G11C16/0483
Abstract: 提供了一种存储器系统及其数据读取方法。一种存储器系统包括存储器和操作以控制所述存储器的存储器控制器。所述存储器包括：可以以随机存取模式操作的存储器单元阵列；NAND闪速存储器；和选择电路，使所述存储器控制器操作所述随机可存取存储器或所述NAND闪速存储器。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101256828A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810092032.3
申请日：2008-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
CPC classification number: G11C11/412 , G11C7/12 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C2207/002
Abstract: 本申请涉及一种具有非易失性存储器数据传输能力的集成电路存储器系统，该集成电路存储器系统包括其中具有随机存取存储器阵列、非易失性存储器阵列(例如，闪速存储器阵列)和数据传输电路的集成电路器件。存储器阵列和数据传输电路可以包括在共用的集成电路芯片中。随机存取存储器(RAM)阵列包括多个RAM单元列和第一组多条位线，所述第一组多条位线被电连接到所述多个RAM单元列。非易失性存储器阵列包括多个非易失性存储器单元列和第二组多条位线，所述第二组多条位线被电连接多个非易失性存储器单元列。数据传输电路被电连接到第一和第二组多条位线。数据传输电路被配置为支持在第一和第二组多条位线之间的直接双向通信。
-
公开(公告)号：CN101241769A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710300376.4
申请日：2007-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F11/1417 , G11C29/82
Abstract: 一种可修复的半导体存储器件包括具有储存第一系统数据的第一块和储存与该第一系统数据相同的第二系统数据的第二块的存储单元阵列。控制器响应于从主机输出的重置信号将该第一系统数据传输给存储单元，它还根据由ECC检测块产生的失败检测信号将第二系统数据传输给该存储单元。该ECC检测块决定该第一系统数据是否有缺陷。当在重置半导体存储器件期间在该第一系统数据中产生缺陷时，通过提供第二系统数据修复该第一系统数据。
-
公开(公告)号：CN1734420A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510082149.X
申请日：2005-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李炳勋
IPC: G06F9/445
CPC classification number: G06F9/4401 , G06F8/654 , G06F8/66
Abstract: 本发明提供了一种储存器系统和对应的方法，用于执行在其上存储的引导程序代码，该存储器系统包括：模式解码器；第一存储器，其与模式解码器进行信号通讯；第二存储器，其与模式解码器进行信号通讯；和模式发生器，其与模式解码器进行信号通讯，并产生信号以指示选择第一和第二储存器中的一个作为引导存储器。并且执行引导程序代码的方法包括：开始时从第一存储器引导系统；编程第二存储器用于随后的引导；编程模式发生器以随后从第二存储器来引导系统；和随后从第二存储器来引导系统。
-
公开(公告)号：CN1722062A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510091388.1
申请日：2005-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/32
CPC classification number: G06F1/324 , G06F1/08 , G06F1/3203 , G06F1/3296 , Y02D10/126 , Y02D10/172
Abstract: 一种产生时钟信号的集成电路，包括电压转换单元、最大功率确定单元、时钟控制单元和时钟发生器。该电压转换单元将外部电源电压转换成内部电源电压，并检测功能块电流消耗量的变化，以产生测得电压，其中该功能块利用内部电源电压消耗预定电流。该最大功率确定单元确定功能块的最大电流消耗量，并将该最大电流消耗量转换成对应的最大容许电压。该时钟控制单元根据该测得电压和最大容许电压之间的比较结果，而产生至少一个频率控制信号。该时钟发生器产生根据频率控制信号调节其频率的时钟信号。
-
公开(公告)号：CN1278102A
公开(公告)日：2000-12-27
申请号：CN00105203.9
申请日：2000-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/10
Abstract: 一种用于快擦写存储器件的编程方法。根据该编程方法,要编程的数据位中的一个开始被编程到相应的存储单元中。然后,在先前的编程操作结束前,开始下一个数据位的编程。利用这种编程算法,尽管快擦写存储器件的集成度提高,但由于电荷激励电路的缘故,仍可以在不增大集成电路管芯尺寸的情况下,提供编程需要的相当大电流量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.023 seconds)
