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公开(公告)号：CN101552036A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910130671.9
申请日：2009-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5642 , G11C16/3454 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5634
Abstract: 本发明涉及一种具有哑单元的快闪存储设备及其操作方法。公开了一种具有多个串的快闪存储设备，其中每个串包括多个第一存储单元和多个第二存储单元。每个串中的多个第二存储单元中的一个第二存储单元被设置为编程状态，其余第二存储单元被设置为擦除状态。
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公开(公告)号：CN100527278C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200510108637.3
申请日：2005-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C2211/5642
Abstract: 一种存储器单元阵列包括连接到多个非易失性存储器单元的位线，其中所述非易失性存储器单元可选择性地编程为至少是第一、第二、第三和第四阈值电压状态中的一个，并且其中第一、第二、第三和第四阈值电压状态对应于由第一和第二位定义的四个不同的数据值。页面缓存器电路存储逻辑值作为主锁存数据，并且其响应主锁存信号而根据位线的电压电平选择性地翻转主锁存数据的逻辑值。副锁存电路存储逻辑值作为副锁存数据，并且其响应副锁存信号而根据位线的电压电平选择性地翻转副锁存数据的逻辑值。所述存储设备可在读出模式和编程模式中操作，其中所述页面缓存器电路选择性地响应副锁存数据，禁止在编程模式中翻转主锁存数据的逻辑值。
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公开(公告)号：CN101009137A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710003744.9
申请日：2007-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/3454 , G11C16/3459
Abstract: 存储系统包括：闪存；以及存储控制器，被配置为控制闪存。所述存储控制器确定在编程操作期间从主机提供的编程数据是否都被存储在闪存中。当确定结果是该编程数据都被存储在所述闪存中时，所述存储控制器控制所述闪存，以便对其中存储了编程数据的最终字线的下一个字线执行伪编程操作。
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公开(公告)号：CN101246744B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200810085641.6
申请日：2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C2211/5634
Abstract: 公开了一种非易失性存储器设备和驱动数据的相关方法。该非易失性存储器设备包括多电平单元阵列和监视存储器单元。该驱动方法包括使用第一读取电压对监视存储器单元执行初始读取操作，确定初始存储在监视存储器单元中的数据与在初始读取操作中从监视存储器单元读取的数据是否相同，并且当初始存储在监视存储器单元中的数据与使用第一读取电压从监视存储器单元中读取的数据不相同时，将主读取电压设置为与第一读取电压电平不同的电平。
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公开(公告)号：CN101188142B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200710199927.2
申请日：2007-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3454 , G11C11/5628 , G11C2211/5621 , G11C2211/5642 , G11C2211/5643
Abstract: 一种用于对闪存设备进行编程的方法，所述闪存设备包括存储表示多个状态之一的多位数据的多个存储器单元。所述方法包括将所述多位数据编程到所述多个存储器单元的所选择的存储器单元中，所述编程包括通过第一校验电压执行的第一校验读取操作、确定是否对所选择的存储器单元中的每一个执行重编程操作以及根据所述确定重编程所选择的存储器单元。重编程所选择的存储器单元包括通过第二校验电压执行的第二校验读取操作，所述第二校验电压高于所述第一校验电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101751994A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910222874.0
申请日：2006-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C8/08 , G11C16/08
Abstract: 一种非易失性半导体存储器件，包括：系列连接的一串第一至第N非易失性存储单元，连接在第一和第二选择晶体管之间；第一和第二伪单元，分别介于第一选择晶体管与第一非易失性存储单元之间、以及第二选择晶体管与第N非易失性存储单元之间；其中每个非易失性存储单元由相应的普通字线选通，而且第一和第二伪单元中的每一个由相应的伪字线选通；以及驱动器块，包括普通字线驱动器和伪字线驱动器，伪字线驱动器能够相对于普通字线驱动器独立地与接收的地址相关地工作。
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公开(公告)号：CN101441893A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810177916.9
申请日：2008-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/16
Abstract: 抑制寄生电荷积累的非易失性存储器件及其操作方法。操作电荷俘获非易失性存储器件的方法包括：通过选择性擦除第一串中第一多个非易失性存储单元以及随后选择性擦除第一串中第二多个非易失性存储单元来擦除第一串非易失性存储单元的操作，第二多个非易失性存储单元与第一多个非易失性存储单元交替。选择性擦除第一多个非易失性存储单元的操作可包括在抑制擦除第二多个非易失性存储单元的阻断条件下，在偏置第二多个非易失性存储单元的同时，擦除第一多个非易失性存储单元。选择性擦除第二多个非易失性存储单元的操作可包括在抑制擦除第一多个非易失性存储单元的阻断条件下，在偏置第一多个非易失性存储单元的同时，擦除第二多个非易失性存储单元。
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公开(公告)号：CN101197189A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710305187.6
申请日：2007-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628
Abstract: 提供了一种闪存装置以及对该装置的编程方法。该闪存装置包括多个存储多位数据的存储单元，该多位数据表示第一状态到第四状态中的至少一种并且包括最高有效位和最低有效位。该方法包括根据最低有效位将多个存储单元编程为临时状态，以及根据最高有效位将多个存储单元从第一状态和临时状态编程为第二状态到第四状态。将多个存储单元编程为第二状态到第四状态包括在一个编程操作周期期间将多个存储单元至少部分地同时编程为至少两种状态。
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公开(公告)号：CN102385918B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201110248483.3
申请日：2011-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G11C11/406 , G11C16/0483 , G11C16/10 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种操作非易失性存储器件的方法包括：将一个或多个字线(WL)地址但不是全部WL地址存储到锁存器中，所述WL布置在串选择线(SSL)与地选择线(GSL)之间；从锁存器中选择第一WL；对与串选择线(SSL)相关联的存储单元执行擦除操作，与所述SSL相关联的存储单元构成存储块；以及验证对与所选择的第一WL相关联的存储单元的擦除操作。
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公开(公告)号：CN101369453B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN200810171455.4
申请日：2008-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C8/10 , G11C8/12 , G11C29/806 , G11C29/844
Abstract: 一种闪存存储器设备，包括多个存储块，解码器，配置成响应块选择信号选择至少一个所述存储块，以及控制器，配置成响应于块地址产生所述块选择信号。当块地址对应不良块时，所述控制器产生块选择信号以使得所述解码器中断对应于块地址的存储块的选择。
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