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公开(公告)号：CN101009138B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200710003748.7
申请日：2007-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/12 , G11C16/3459
Abstract: 本发明提供了一种用于快闪存储器件的编程方法，所述快闪存储器件包括与用于存储指示多个状态中的一个的多位数据的多个存储单元连接的第一和第二位线。该编程方法可以包括：用多位数据将与所选行和第二位线连接的存储单元编程；确定所选行是否是最后行；以及当确定结果为所选行是最后行时，将与作为最后行的所选行和第一位线连接的已编程的存储单元重新编程。
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公开(公告)号：CN101354907A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810131691.3
申请日：2008-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 姜相求
Abstract: 本申请公开了减小上电峰值电流的多芯片封装。在一种具有多个存储芯片的多芯片封装中，每个存储芯片包括：存储e－fuse数据的存储单元阵列、响应于读取信号而对所述e－fuse数据执行读取操作的读出控制电路、接收第一控制信号的第一内部焊盘、响应于所述第一控制信号来生成用于定义所述读取操作的读取周期的读取信号并生成跟随所述读取周期的第二控制信号的读出控制器，以及从所述读出控制器接收所述第二控制信号的第二内部焊盘，其中，所述多个存储芯片串行连接，并且所述多个存储芯片中的每一个存储芯片中相应的读出控制电路和读出控制器进行合作以实现对所述多个存储芯片的e－fuse数据的顺序读取。
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公开(公告)号：CN101079321B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200710128829.X
申请日：2007-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 姜相求
CPC classification number: G11C11/5621 , G11C16/0483
Abstract: 非易失性半导体存储设备，包括连接到位线的串选择晶体管。该设备还包括串联到串选择晶体管的多个存储单元，其中至少一个存储单元被配置为在多个存储单元的擦除过程中处于编程状态。
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公开(公告)号：CN101677020A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910174634.8
申请日：2009-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 姜相求
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C16/3418
Abstract: 提供一种闪速存储器件的读取方法，其包括：读取连接到与多个已选择存储单元的字线不同的字线的多个邻近存储单元；利用多个耦合补偿参数读取所述多个已选择存储单元一次或多次；以及基于所述邻近存储单元的读取结果选择性地锁存所述已选择存储单元的读取结果。
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公开(公告)号：CN101009137A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710003744.9
申请日：2007-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/3454 , G11C16/3459
Abstract: 存储系统包括：闪存；以及存储控制器，被配置为控制闪存。所述存储控制器确定在编程操作期间从主机提供的编程数据是否都被存储在闪存中。当确定结果是该编程数据都被存储在所述闪存中时，所述存储控制器控制所述闪存，以便对其中存储了编程数据的最终字线的下一个字线执行伪编程操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101354907B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN200810131691.3
申请日：2008-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 姜相求
Abstract: 本申请公开了减小上电峰值电流的多芯片封装。在一种具有多个存储芯片的多芯片封装中，每个存储芯片包括：存储e-fuse数据的存储单元阵列、响应于读取信号而对所述e-fuse数据执行读取操作的读出控制电路、接收第一控制信号的第一内部焊盘、响应于所述第一控制信号来生成用于定义所述读取操作的读取周期的读取信号并生成跟随所述读取周期的第二控制信号的读出控制器，以及从所述读出控制器接收所述第二控制信号的第二内部焊盘，其中，所述多个存储芯片串行连接，并且所述多个存储芯片中的每一个存储芯片中相应的读出控制电路和读出控制器进行合作以实现对所述多个存储芯片的e-fuse数据的顺序读取。
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公开(公告)号：CN101197189B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200710305187.6
申请日：2007-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628
Abstract: 提供了一种闪存装置以及对该装置的编程方法。该闪存装置包括多个存储多位数据的存储单元，该多位数据表示第一状态到第四状态中的至少一种并且包括最高有效位和最低有效位。该方法包括根据最低有效位将多个存储单元编程为临时状态，以及根据最高有效位将多个存储单元从第一状态和临时状态编程为第二状态到第四状态。将多个存储单元编程为第二状态到第四状态包括在一个编程操作周期期间将多个存储单元至少部分地同时编程为至少两种状态。
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公开(公告)号：CN101188142A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710199927.2
申请日：2007-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3454 , G11C11/5628 , G11C2211/5621 , G11C2211/5642 , G11C2211/5643
Abstract: 一种用于对闪存设备进行编程的方法，所述闪存设备包括存储表示多个状态之一的多位数据的多个存储器单元。所述方法包括将所述多位数据编程到所述多个存储器单元的所选择的存储器单元中，所述编程包括通过第一校验电压执行的第一校验读取操作、确定是否对所选择的存储器单元中的每一个执行重编程操作以及根据所述确定重编程所选择的存储器单元。重编程所选择的存储器单元包括通过第二校验电压执行的第二校验读取操作，所述第二校验电压高于所述第一校验电压。
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公开(公告)号：CN110782937A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201810857487.3
申请日：2018-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 姜相求
Abstract: 提供了一种非易失性存储装置及其编程方法。所述编程方法包括：将第一编程电压施加到选择的字线；将验证电压施加到选择的字线以验证存储器单元的编程状态；基于验证结果，将第一位线电压施加到与存储器单元中的第一存储器单元连接的第一位线，将编程禁止电压施加到与存储器单元中的第二存储器单元连接的第二位线，将第二编程电压施加到选择的字线。第一位线电压高于地电压且低于编程禁止电压。基于操作温度、执行的编程循环的次数、包括存储器单元的存储器块的编程/擦除循环的次数和存储器块的物理特性中的至少一种对第一位线电压进行补偿。
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公开(公告)号：CN101246744B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200810085641.6
申请日：2008-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C2211/5634
Abstract: 公开了一种非易失性存储器设备和驱动数据的相关方法。该非易失性存储器设备包括多电平单元阵列和监视存储器单元。该驱动方法包括使用第一读取电压对监视存储器单元执行初始读取操作，确定初始存储在监视存储器单元中的数据与在初始读取操作中从监视存储器单元读取的数据是否相同，并且当初始存储在监视存储器单元中的数据与使用第一读取电压从监视存储器单元中读取的数据不相同时，将主读取电压设置为与第一读取电压电平不同的电平。
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