公开(公告)号：CN113534598B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202110096801.2

申请日：2021-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成洙 ,  金东完 ,  徐焕锡

IPC: G03F1/24

Abstract: 用于极紫外光刻工艺的相移掩模包括衬底、位于所述衬底上的反射层、位于所述反射层上的覆盖层和位于所述覆盖层上的相移图案。每个所述相移图案可以包括位于所述覆盖层上的下吸收图案和位于所述下吸收图案上的上吸收图案。所述上吸收图案的折射率可以高于所述下吸收图案的折射率，并且所述上吸收图案的厚度小于所述下吸收图案的厚度。

公开(公告)号：CN113805427A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110660102.6

申请日：2021-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐焕锡 ,  金成洙 ,  丁昶荣

IPC: G03F1/26 ,  G03F7/20

Abstract: 一种用于极紫外光刻的相移掩模，其包括：衬底；衬底上的反射层；反射层上的封盖层；封盖层上的缓冲图案，缓冲图案包括暴露封盖层的表面的开口；以及缓冲图案上的吸收器图案，吸收器图案包括小于缓冲图案的折射率的折射率和大于缓冲图案的厚度的厚度。缓冲图案包括相对于吸收器图案和封盖层具有蚀刻选择性的材料。

公开(公告)号：CN109901358A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201811502452.4

申请日：2018-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐焕锡 ,  李明秀 ,  李炳勋

IPC: G03F1/38 ,  G03F1/42 ,  G03F1/44 ,  G03F1/54 ,  G03F1/72

Abstract: 提供了一种光掩模及其制造方法。该光掩模包括：低热膨胀材料(LTEM)基板，包括第一表面和第二表面；设置在低热膨胀材料基板的第一表面上并且包括交替堆叠的第一材料层和第二材料层的反射层；在反射层上的光吸收图案；和在低热膨胀材料基板的第二表面上的导电层，其中低热膨胀材料基板包括校正光吸收图案的校正缺陷，并且导电层由钌氧化物(RuO2)、铱氧化物(IrO2)和/或其组合中的一种形成。

公开(公告)号：CN113534598A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110096801.2

申请日：2021-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成洙 ,  金东完 ,  徐焕锡

IPC: G03F1/24

Abstract: 用于极紫外光刻工艺的相移掩模包括衬底、位于所述衬底上的反射层、位于所述反射层上的覆盖层和位于所述覆盖层上的相移图案。每个所述相移图案可以包括位于所述覆盖层上的下吸收图案和位于所述下吸收图案上的上吸收图案。所述上吸收图案的折射率可以高于所述下吸收图案的折射率，并且所述上吸收图案的厚度小于所述下吸收图案的厚度。