公开(公告)号：CN111880374A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201911345549.3

申请日：2019-12-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裵根熙 ,  朴珍洪 ,  许晋硕 ,  高熙英 ,  洪成哲

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 公开了一种极紫外(EUV)曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法。该EUV曝光设备包括：室；EUV源，在室中并被构造为产生EUV束；光学系统，在EUV源上方并被构造为将EUV束提供到基底；基底台，在室中并被构造为接收基底；掩模台，在室中并被构造为保持掩模，掩模被构造为将EUV束投射到基底上；以及等离子体源，被构造为将等离子体提供到掩模，以使通过EUV束充电的掩模为电中性。

公开(公告)号：CN100559269C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200410096351.3

申请日：2004-11-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金舜镐 ,  崔成云 ,  文诚庸 ,  朴珍洪

IPC分类号： G03F1/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： G03F7/70191 ,  G02B5/1871 ,  G02B27/09 ,  G02B27/0927 ,  G02B27/0938 ,  G02B27/46 ,  G03F1/50

摘要： 一种用于利用构图辐射来构图集成电路器件的光掩模，包括：透明基板、辐射阻挡区图形、辐射阻挡区阵列和遮蔽元件阵列。透明基板具有第一和第二相对表面，而辐射阻挡区图形在透明基板的第一和/或第二表面中的至少一个上。此外，辐射阻挡区图形限定要被转移到集成电路基板上的图形。遮蔽元件阵列设置在第一与第二相对表面之间的透明基板内，其中遮蔽元件阵列的光透射特性与透明基板的相邻部分的不同。此外，穿过包含遮蔽元件阵列的透明基板部分的构图辐射的透射率大于近似20%。还公开了相关方法和系统。

公开(公告)号：CN111880374B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201911345549.3

申请日：2019-12-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裵根熙 ,  朴珍洪 ,  许晋硕 ,  高熙英 ,  洪成哲

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 公开了一种极紫外(EUV)曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法。该EUV曝光设备包括：室；EUV源，在室中并被构造为产生EUV束；光学系统，在EUV源上方并被构造为将EUV束提供到基底；基底台，在室中并被构造为接收基底；掩模台，在室中并被构造为保持掩模，掩模被构造为将EUV束投射到基底上；以及等离子体源，被构造为将等离子体提供到掩模，以使通过EUV束充电的掩模为电中性。

公开(公告)号：CN1621941A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410096351.3

申请日：2004-11-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金舜镐 ,  崔成云 ,  文诚庸 ,  朴珍洪

IPC分类号： G03F1/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： G03F7/70191 ,  G02B5/1871 ,  G02B27/09 ,  G02B27/0927 ,  G02B27/0938 ,  G02B27/46 ,  G03F1/50

摘要： 一种用于利用构图辐射来构图集成电路器件的光掩模，包括：透明基板、辐射阻挡区图形、辐射阻挡区阵列和遮蔽元件阵列。透明基板具有第一和第二相对表面，而辐射阻挡区图形在透明基板的第一和/或第二表面中的至少一个上。此外，辐射阻挡区图形限定要被转移到集成电路基板上的图形。遮蔽元件阵列设置在第一与第二相对表面之间的透明基板内，其中遮蔽元件阵列的光透射特性与透明基板的相邻部分的不同。此外，穿过包含遮蔽元件阵列的透明基板部分的构图辐射的透射率大于近似20％。还公开了相关方法和系统。

公开(公告)号：CN118276413A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311560660.0

申请日：2023-11-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李相焕 ,  金度亨 ,  朴珍洪 ,  申河喆 ,  洪成哲

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 公开了掩模台和包括掩模台的极紫外曝光装置。该掩模台包括：主体；在主体的下表面上的支撑件，支撑件包括可附接的极紫外掩模；基准标记，在主体的下表面上并与支撑件间隔开；以及包括多个测量传感器的传感器区域，所述多个测量传感器配置为测量入射在主体上的极紫外光的一部分的能量，其中传感器区域在主体的下表面上并在极紫外光的扫描方向上与支撑件间隔开，所述多个测量传感器在垂直于扫描方向的方向上彼此间隔开。

公开(公告)号：CN111880375A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201911364910.7

申请日：2019-12-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裵根熙 ,  朴珍洪 ,  许晋硕 ,  李昇玟 ,  林宣泽

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 公开了半导体器件的制造系统和使用其制造半导体器件的方法。所述系统可以包括：腔室；极紫外光(EUV)源，位于腔室中，并且被构造为产生EUV束；光学系统，位于EUV源上，并且被构造为将EUV束提供到基底；基底台，位于腔室中，并且被构造为容纳基底；标线台，位于腔室中，被构造为保持标线，标线被构造为使EUV束投射到基底上；以及颗粒收集器，位于标线与光学系统之间，并且被构造为允许EUV束的选择性透射并去除颗粒。

公开(公告)号：CN111880375B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN201911364910.7

申请日：2019-12-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 裵根熙 ,  朴珍洪 ,  许晋硕 ,  李昇玟 ,  林宣泽

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 公开了半导体器件的制造系统和使用其制造半导体器件的方法。所述系统可以包括：腔室；极紫外光(EUV)源，位于腔室中，并且被构造为产生EUV束；光学系统，位于EUV源上，并且被构造为将EUV束提供到基底；基底台，位于腔室中，并且被构造为容纳基底；标线台，位于腔室中，被构造为保持标线，标线被构造为使EUV束投射到基底上；以及颗粒收集器，位于标线与光学系统之间，并且被构造为允许EUV束的选择性透射并去除颗粒。

公开(公告)号：CN113777889A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110284405.2

申请日：2021-03-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金度亨 ,  洪成哲 ,  金仁晟 ,  朴珍洪 ,  李贞彻

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027

摘要： 公开了半导体制造装置及其操作方法。半导体制造装置包括振荡单元和极紫外生成单元，振荡单元包括第一种子激光器、第二种子激光器和种子模块，其中，第一种子激光器使第一脉冲振荡，并且其中，第二种子激光器使第二脉冲振荡，并且极紫外生成单元被配置为使用第一脉冲和第二脉冲生成极紫外光。种子模块包括多个反射镜以及脉冲控制光学系统，多个反射镜被配置为使第一脉冲和第二脉冲分别沿着第一路径和第二路径行进，并且脉冲控制光学系统包括第一光学元件、第二光学元件和第三光学元件。脉冲控制光学系统在不与第一路径重叠的第二路径上。第三光学元件包括第一光学元件与第二光学元件之间的透镜。