公开(公告)号：CN111880374B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201911345549.3

申请日：2019-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵根熙 ,  朴珍洪 ,  许晋硕 ,  高熙英 ,  洪成哲

IPC: G03F7/20

Abstract: 公开了一种极紫外(EUV)曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法。该EUV曝光设备包括：室；EUV源，在室中并被构造为产生EUV束；光学系统，在EUV源上方并被构造为将EUV束提供到基底；基底台，在室中并被构造为接收基底；掩模台，在室中并被构造为保持掩模，掩模被构造为将EUV束投射到基底上；以及等离子体源，被构造为将等离子体提供到掩模，以使通过EUV束充电的掩模为电中性。

公开(公告)号：CN113109938A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202011384130.1

申请日：2020-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度亨 ,  洪成哲 ,  姜京植 ,  金仁晟 ,  坂井基志 ,  S.李 ,  李贞彻

IPC: G02B26/08 ,  H05G2/00

Abstract: 极紫外光源的激光束传递设备可包括：高功率种子模块，其被配置为生成激光束；功率放大器，其被配置为放大由高功率种子模块生成的激光束；束传输模块，其被配置为收集和移动由功率放大器放大的激光束；最终聚焦组装光学平台，其被配置为调节由束传输模块收集和移动的激光束的焦点；以及聚焦单元，其被配置为采用由最终聚焦组装光学平台调节的焦点将激光束聚焦至目标微滴。功率放大器可以包括位置调节器，该位置调节器被配置为调节激光束的位置。位置调节器可以包括具有平坦表面的折射板。功率放大器可以包括指向调节器，该指向调节器可以包括镜。

公开(公告)号：CN118276413A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311560660.0

申请日：2023-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相焕 ,  金度亨 ,  朴珍洪 ,  申河喆 ,  洪成哲

IPC: G03F7/20

Abstract: 公开了掩模台和包括掩模台的极紫外曝光装置。该掩模台包括：主体；在主体的下表面上的支撑件，支撑件包括可附接的极紫外掩模；基准标记，在主体的下表面上并与支撑件间隔开；以及包括多个测量传感器的传感器区域，所述多个测量传感器配置为测量入射在主体上的极紫外光的一部分的能量，其中传感器区域在主体的下表面上并在极紫外光的扫描方向上与支撑件间隔开，所述多个测量传感器在垂直于扫描方向的方向上彼此间隔开。

公开(公告)号：CN111880374A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201911345549.3

申请日：2019-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵根熙 ,  朴珍洪 ,  许晋硕 ,  高熙英 ,  洪成哲

IPC: G03F7/20

Abstract: 公开了一种极紫外(EUV)曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法。该EUV曝光设备包括：室；EUV源，在室中并被构造为产生EUV束；光学系统，在EUV源上方并被构造为将EUV束提供到基底；基底台，在室中并被构造为接收基底；掩模台，在室中并被构造为保持掩模，掩模被构造为将EUV束投射到基底上；以及等离子体源，被构造为将等离子体提供到掩模，以使通过EUV束充电的掩模为电中性。

公开(公告)号：CN109946919B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN201811561123.7

申请日：2018-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昊炼 ,  洪成哲 ,  金成洙

IPC: G03F1/24

Abstract: 提供了一种极紫外(EUV)掩模坯料。EUV掩模坯料包括：基板，具有彼此相对的第一表面和第二表面；反射层，具有交替堆叠在所述基板的第一表面上的第一反射层和第二反射层；覆盖层，在所述反射层上；以及吸氢层，在所述反射层和所述覆盖层之间，所述吸氢层配置为存储氢并与所述覆盖层接触。

公开(公告)号：CN113777889A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110284405.2

申请日：2021-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金度亨 ,  洪成哲 ,  金仁晟 ,  朴珍洪 ,  李贞彻

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 公开了半导体制造装置及其操作方法。半导体制造装置包括振荡单元和极紫外生成单元，振荡单元包括第一种子激光器、第二种子激光器和种子模块，其中，第一种子激光器使第一脉冲振荡，并且其中，第二种子激光器使第二脉冲振荡，并且极紫外生成单元被配置为使用第一脉冲和第二脉冲生成极紫外光。种子模块包括多个反射镜以及脉冲控制光学系统，多个反射镜被配置为使第一脉冲和第二脉冲分别沿着第一路径和第二路径行进，并且脉冲控制光学系统包括第一光学元件、第二光学元件和第三光学元件。脉冲控制光学系统在不与第一路径重叠的第二路径上。第三光学元件包括第一光学元件与第二光学元件之间的透镜。

公开(公告)号：CN109946919A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811561123.7

申请日：2018-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昊炼 ,  洪成哲 ,  金成洙

IPC: G03F1/24

Abstract: 提供了一种极紫外(EUV)掩模坯料。EUV掩模坯料包括：基板，具有彼此相对的第一表面和第二表面；反射层，具有交替堆叠在所述基板的第一表面上的第一反射层和第二反射层；覆盖层，在所述反射层上；以及吸氢层，在所述反射层和所述覆盖层之间，所述吸氢层配置为存储氢并与所述覆盖层接触。

公开(公告)号：CN118068652A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311154911.5

申请日：2023-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申河喆 ,  金度亨 ,  朴柱温 ,  李相焕 ,  洪成哲

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/24 ,  G03F1/72

Abstract: 提供了能够有效地校正极紫外(EUV)曝光工艺中的套准误差的EUV套准校正方法和包括该EUV套准校正方法的制造半导体装置的方法。所述EUV套准校正方法包括：通过使用掩模执行EUV曝光工艺，在晶圆上形成第一光致抗蚀剂(PR)图案；检查第一PR图案的EUV套准，并且获得第一套准参数的第一套准，在第一套准参数中，套准在与扫描方向垂直的第一方向上离开第一PR图案的中心向着第一PR图案的相对侧三维地增大；基于第一套准计算掩模的变形数据；将电压施加到掩模台的夹持电极，以将掩模创建为变形掩模；以及通过使用变形掩模执行EUV曝光工艺，在晶圆上形成第二PR图案。