EUV掩模坯料和光掩模
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109946919B

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN201811561123.7

    申请日:2018-12-19

    Abstract: 提供了一种极紫外(EUV)掩模坯料。EUV掩模坯料包括:基板,具有彼此相对的第一表面和第二表面;反射层,具有交替堆叠在所述基板的第一表面上的第一反射层和第二反射层;覆盖层,在所述反射层上;以及吸氢层,在所述反射层和所述覆盖层之间,所述吸氢层配置为存储氢并与所述覆盖层接触。

    EUV掩模坯料和光掩模
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109946919A

    公开(公告)日:2019-06-28

    申请号:CN201811561123.7

    申请日:2018-12-19

    Abstract: 提供了一种极紫外(EUV)掩模坯料。EUV掩模坯料包括:基板,具有彼此相对的第一表面和第二表面;反射层,具有交替堆叠在所述基板的第一表面上的第一反射层和第二反射层;覆盖层,在所述反射层上;以及吸氢层,在所述反射层和所述覆盖层之间,所述吸氢层配置为存储氢并与所述覆盖层接触。

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