公开(公告)号：CN1758138B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200510113435.8

申请日：2005-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗烈 ,  吴锡焕 ,  吕起成 ,  禹相均 ,  李淑 ,  朴柱温 ,  丁成坤

IPC: G03F1/14 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70466 ,  G03F1/00

Abstract: 提供掩模组，该掩模组可以用于在半导体器件的制造过程中限定具有第一间距图形的第一图形区域和具有第二间距图形的第二图形区域。这些掩模组可以包括第一掩模，具有第一曝光区域和第一屏蔽区域，在第一曝光区域中第一半色调图形限定第一图形区域，以及在第一屏蔽区域中第一遮蔽层覆盖第二图形区域。这些掩模组还可以包括第二掩模，具有第二曝光区域和第二屏蔽区域，在第二曝光区域中第二半色调图形限定第二图形区域，在第二屏蔽区域中第二遮蔽层覆盖第一图形区域。第二遮蔽层也从第二屏蔽区域延伸，以覆盖部分第二半色调图形。

公开(公告)号：CN1758138A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510113435.8

申请日：2005-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗烈 ,  吴锡焕 ,  吕起成 ,  禹相均 ,  李淑 ,  朴柱温 ,  丁成坤

IPC: G03F1/14 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70466 ,  G03F1/00

Abstract: 提供掩模组，该掩模组可以用于在半导体器件的制造过程中限定具有第一间距图形的第一图形区域和具有第二间距图形的第二图形区域。这些掩模组可以包括第一掩模，具有第一曝光区域和第一屏蔽区域，在第一曝光区域中第一半色调图形限定第一图形区域，以及在第一屏蔽区域中第一遮蔽层覆盖第二图形区域。这些掩模组还可以包括第二掩模，具有第二曝光区域和第二屏蔽区域，在第二曝光区域中第二半色调图形限定第二图形区域，在第二屏蔽区域中第二遮蔽层覆盖第一图形区域。第二遮蔽层也从第二屏蔽区域延伸，以覆盖部分第二半色调图形。

公开(公告)号：CN103676496B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201310314179.3

申请日：2013-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴昌敏 ,  朴柱温 ,  吕政浩

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2006 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70025 ,  G03F7/70916 ,  H05G2/003 ,  H05G2/006 ,  H05G2/008

Abstract: 提供了一种用于生成EUV光的设备，所述设备可以包括微滴供应单元、激光照射单元、聚光单元和引导单元。微滴供应单元可以供应可以由其生成EUV光的微滴。激光照射单元可以将激光照射到由微滴供应单元供应的微滴以生成EUV光。聚光单元可以使通过激光照射单元生成的EUV光聚集。引导单元可以将微滴引导到激光可以照射到的位置。引导单元可以具有用于将气体喷射到微滴供应单元与激光照射位置之间的空间以形成被构造成围绕微滴的气幕的至少一个气体喷射孔。

公开(公告)号：CN103676496A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310314179.3

申请日：2013-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴昌敏 ,  朴柱温 ,  吕政浩

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2006 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70025 ,  G03F7/70916 ,  H05G2/003 ,  H05G2/006 ,  H05G2/008

Abstract: 提供了一种用于生成EUV光的设备，所述设备可以包括微滴供应单元、激光照射单元、聚光单元和引导单元。微滴供应单元可以供应可以由其生成EUV光的微滴。激光照射单元可以将激光照射到由微滴供应单元供应的微滴以生成EUV光。聚光单元可以使通过激光照射单元生成的EUV光聚集。引导单元可以将微滴引导到激光可以照射到的位置。引导单元可以具有用于将气体喷射到微滴供应单元与激光照射位置之间的空间以形成被构造成围绕微滴的气幕的至少一个气体喷射孔。

公开(公告)号：CN118068652A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311154911.5

申请日：2023-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申河喆 ,  金度亨 ,  朴柱温 ,  李相焕 ,  洪成哲

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/24 ,  G03F1/72

Abstract: 提供了能够有效地校正极紫外(EUV)曝光工艺中的套准误差的EUV套准校正方法和包括该EUV套准校正方法的制造半导体装置的方法。所述EUV套准校正方法包括：通过使用掩模执行EUV曝光工艺，在晶圆上形成第一光致抗蚀剂(PR)图案；检查第一PR图案的EUV套准，并且获得第一套准参数的第一套准，在第一套准参数中，套准在与扫描方向垂直的第一方向上离开第一PR图案的中心向着第一PR图案的相对侧三维地增大；基于第一套准计算掩模的变形数据；将电压施加到掩模台的夹持电极，以将掩模创建为变形掩模；以及通过使用变形掩模执行EUV曝光工艺，在晶圆上形成第二PR图案。