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公开(公告)号：CN1758138A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510113435.8
申请日：2005-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/14 , G03F1/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70466 , G03F1/00
Abstract: 提供掩模组，该掩模组可以用于在半导体器件的制造过程中限定具有第一间距图形的第一图形区域和具有第二间距图形的第二图形区域。这些掩模组可以包括第一掩模，具有第一曝光区域和第一屏蔽区域，在第一曝光区域中第一半色调图形限定第一图形区域，以及在第一屏蔽区域中第一遮蔽层覆盖第二图形区域。这些掩模组还可以包括第二掩模，具有第二曝光区域和第二屏蔽区域，在第二曝光区域中第二半色调图形限定第二图形区域，在第二屏蔽区域中第二遮蔽层覆盖第一图形区域。第二遮蔽层也从第二屏蔽区域延伸，以覆盖部分第二半色调图形。
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公开(公告)号：CN101135840A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200610142919.X
申请日：2006-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0337
Abstract: 在形成掩模结构的方法中，在衬底上形成第一掩模，第一掩模包括具有多个掩模图形部分的第一掩模图形和具有边角部分的第二掩模图形，该多个掩模图形部分在其间具有开口，该边角部分的内侧壁是弯曲的。在第一掩模上形成牺牲层。在该牺牲层上形成硬掩模层。在部分地除去硬掩模层，直到邻近于边角部分的牺牲层被露出之后，由除去牺牲层之后的空间中剩下的硬掩模层形成第二掩模。在衬底上可以容易地形成具有精细结构的微小图形。
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公开(公告)号：CN1175788A
公开(公告)日：1998-03-11
申请号：CN97119281.2
申请日：1997-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/31 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了用远紫外辐射在半导体晶片上形成光刻胶图形、以防止光刻胶图形在构图过程中烧毁的更有效的方法,该方法包括以下步骤:用远紫外辐射对光刻胶图形进行充分的曝光,以控制光刻胶的热流动量;在较高温度下烘烤光刻胶图形,以固化光刻胶图形。即使随后在很高的温度下用光刻胶图形作掩模进行刻蚀工艺,但由于在烘烤前用远紫外辐射对光刻胶图形进行了充分曝光,所以可以防止光刻胶图形的烧毁。
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公开(公告)号：CN1779978A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510113434.3
申请日：2005-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10814 , H01L27/0207 , H01L27/10882 , H01L27/11502
Abstract: 一种半导体存储器件可以包括具有多个有源区的衬底和在衬底上围绕衬底的有源区的场隔离层。多个有源区的每一个在第一轴的方向上可以具有一长度和在第二轴的方向上可以具有一宽度，以及该长度可以大于该宽度。多个有源区可以被设置在第二轴的方向上的有源区的多个列中，以及相邻列的有源区在第二轴的方向上可以偏移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1053993C
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：CN94105508.6
申请日：1994-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/312 , G03F7/09 , G03F7/16
CPC classification number: H01L21/0276 , G03F7/091 , Y10S438/952
Abstract: 一种制造抗反射层的方法，包括涂覆聚合物溶液和随后用高温烘干的步骤，其中聚合物溶液包括选自由酚基树脂、水溶树脂、和丙烯酰基树脂组成的一组中的至少一种化合物作为主要组分。该方法是简化的，该层的反射率大为降低了。
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公开(公告)号：CN1115496A
公开(公告)日：1996-01-24
申请号：CN94105508.6
申请日：1994-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/312 , G03G5/10 , G03F7/004
CPC classification number: H01L21/0276 , G03F7/091 , Y10S438/952
Abstract: 一种制造抗反射层的方法，包括涂覆聚合物溶液和随后用高温烘干的步骤，其中聚合物溶液包括选自由酚基树脂、水溶树脂、和丙烯酰基树脂组成的一组中的至少一种化合物作为主要组分。该方法是简化的，该层的反射率大为降低了。
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公开(公告)号：CN101135840B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200610142919.X
申请日：2006-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0337
Abstract: 在形成掩模结构的方法中，在衬底上形成第一掩模，第一掩模包括具有多个掩模图形部分的第一掩模图形和具有边角部分的第二掩模图形，该多个掩模图形部分在其间具有开口，该边角部分的内侧壁是弯曲的。在第一掩模上形成牺牲层。在该牺牲层上形成硬掩模层。在部分地除去硬掩模层，直到邻近于边角部分的牺牲层被露出之后，由除去牺牲层之后的空间中剩下的硬掩模层形成第二掩模。在衬底上可以容易地形成具有精细结构的微小图形。
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公开(公告)号：CN1758138B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200510113435.8
申请日：2005-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/14 , G03F1/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70466 , G03F1/00
Abstract: 提供掩模组，该掩模组可以用于在半导体器件的制造过程中限定具有第一间距图形的第一图形区域和具有第二间距图形的第二图形区域。这些掩模组可以包括第一掩模，具有第一曝光区域和第一屏蔽区域，在第一曝光区域中第一半色调图形限定第一图形区域，以及在第一屏蔽区域中第一遮蔽层覆盖第二图形区域。这些掩模组还可以包括第二掩模，具有第二曝光区域和第二屏蔽区域，在第二曝光区域中第二半色调图形限定第二图形区域，在第二屏蔽区域中第二遮蔽层覆盖第一图形区域。第二遮蔽层也从第二屏蔽区域延伸，以覆盖部分第二半色调图形。
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公开(公告)号：CN101241303A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810088172.3
申请日：2008-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L22/12 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及控制其图案的方法，其中可根据图案的临界尺寸(CD)，单独地控制由双图案化工艺形成的图案的电特性。该方法包括控制具有不同CD的两个或更多图案，从而最优地操作该图案。基于图案的CD，由提供给图案的信号单独地控制该图案。通过控制提供给各个图案的信号的大小和应用时间，控制该信号。
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