公开(公告)号：CN109994473A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201811514995.8

申请日：2018-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真雅 ,  金容宽 ,  朴世根 ,  李柱泳 ,  高次元 ,  李永澈

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括衬底、字线、掺杂结、位线结构和埋式接触。所述衬底具有多个有源区。所述字线延伸跨越所述多个有源区。所述掺杂结具有杂质并且被布置在所述多个有源区，并且包括多个第一结和多个第二结，每个第一结被布置在所述多个有源区中的一个有源区的中心部，每个第二结被布置在所述多个有源区中的另一个有源区的端部，每个第二结中包括埋式半导体层。所述位线结构与所述多个第一结中的相应的第一结接触。所述埋式接触被布置成矩阵形状，每个埋式接触与所述多个第二结中的相应的一个第二结以及所包括的埋式半导体层接触，同时与用于存储数据的电荷存储器接触。

公开(公告)号：CN101135840B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200610142919.X

申请日：2006-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗烈 ,  赵汉九 ,  李昔柱 ,  吕起成 ,  高次元 ,  丁成坤

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/0337

Abstract: 在形成掩模结构的方法中，在衬底上形成第一掩模，第一掩模包括具有多个掩模图形部分的第一掩模图形和具有边角部分的第二掩模图形，该多个掩模图形部分在其间具有开口，该边角部分的内侧壁是弯曲的。在第一掩模上形成牺牲层。在该牺牲层上形成硬掩模层。在部分地除去硬掩模层，直到邻近于边角部分的牺牲层被露出之后，由除去牺牲层之后的空间中剩下的硬掩模层形成第二掩模。在衬底上可以容易地形成具有精细结构的微小图形。

公开(公告)号：CN115719720A

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202211011661.5

申请日：2022-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许硕 ,  高次元 ,  金贤友 ,  洪尚俊 ,  姜景元 ,  金东昱 ,  徐璟源 ,  张永日 ,  崔容锡

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种基底处理设备，所述基底处理设备包括：光致抗蚀剂涂覆器，在基底上敷设光致抗蚀剂膜；加湿器，增大基底上的光致抗蚀剂膜暴露到的环境中的湿气的量；以及曝光器，用光照射暴露于具有增大的量的湿气的环境中的光致抗蚀剂膜。加湿器设置在光致抗蚀剂涂覆器与曝光器之间。

公开(公告)号：CN109994473B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201811514995.8

申请日：2018-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真雅 ,  金容宽 ,  朴世根 ,  李柱泳 ,  高次元 ,  李永澈

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括衬底、字线、掺杂结、位线结构和埋式接触。所述衬底具有多个有源区。所述字线延伸跨越所述多个有源区。所述掺杂结具有杂质并且被布置在所述多个有源区，并且包括多个第一结和多个第二结，每个第一结被布置在所述多个有源区中的一个有源区的中心部，每个第二结被布置在所述多个有源区中的另一个有源区的端部，每个第二结中包括埋式半导体层。所述位线结构与所述多个第一结中的相应的第一结接触。所述埋式接触被布置成矩阵形状，每个埋式接触与所述多个第二结中的相应的一个第二结以及所包括的埋式半导体层接触，同时与用于存储数据的电荷存储器接触。

公开(公告)号：CN110075713A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201811265066.8

申请日：2018-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高次元 ,  奥列格·费根森 ,  金重铉 ,  金贤友 ,  金垠成

IPC: B01D61/42 ,  B01D61/58

Abstract: 提供了一种用于在制造集成电路中使用的化学溶液的过滤器结构以及一种包括该过滤器结构的设备。所述过滤器结构包括：第一膜结构，包括多个膜单元，所述多个膜单元中的每个包括包含多个第一开口的阴极、包括多个第二开口的阳极以及位于阴极与阳极之间的绝缘层；以及过滤器外壳，被构造成在其中容纳第一膜结构，过滤器外壳包括化学溶液通过其引进的入口和化学溶液通过其排出的出口。第一膜结构被构造成使得当在通过入口引进的化学溶液通过第一膜结构的同时将电场施加在阴极与阳极之间时，化学溶液中的具有带正电颗粒和带负电颗粒两者的杂质被俘获在第一膜结构中。

公开(公告)号：CN110075713B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN201811265066.8

申请日：2018-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高次元 ,  奥列格·费根森 ,  金重铉 ,  金贤友 ,  金垠成

IPC: B01D61/42 ,  B01D61/58

Abstract: 提供了一种用于在制造集成电路中使用的化学溶液的过滤器结构以及一种包括该过滤器结构的设备。所述过滤器结构包括：第一膜结构，包括多个膜单元，所述多个膜单元中的每个包括包含多个第一开口的阴极、包括多个第二开口的阳极以及位于阴极与阳极之间的绝缘层；以及过滤器外壳，被构造成在其中容纳第一膜结构，过滤器外壳包括化学溶液通过其引进的入口和化学溶液通过其排出的出口。第一膜结构被构造成使得当在通过入口引进的化学溶液通过第一膜结构的同时将电场施加在阴极与阳极之间时，化学溶液中的具有带正电颗粒和带负电颗粒两者的杂质被俘获在第一膜结构中。

公开(公告)号：CN111190331A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201910722297.5

申请日：2019-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  李根泽 ,  赵庸真 ,  高次元 ,  朴晟见 ,  李晓山 ,  车知勋 ,  崔秀瑛

IPC: G03F7/40 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32

Abstract: 公开了基底干燥方法、光致抗蚀剂显影方法、光刻方法和基底干燥系统。可提供基底干燥方法，该基底干燥方法包括在基底上提供干燥液体、增大干燥液体的压力以产生超临界流体和去除超临界流体以干燥基底。

公开(公告)号：CN101135840A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200610142919.X

申请日：2006-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗烈 ,  赵汉九 ,  李昔柱 ,  吕起成 ,  高次元 ,  丁成坤

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/0337

Abstract: 在形成掩模结构的方法中，在衬底上形成第一掩模，第一掩模包括具有多个掩模图形部分的第一掩模图形和具有边角部分的第二掩模图形，该多个掩模图形部分在其间具有开口，该边角部分的内侧壁是弯曲的。在第一掩模上形成牺牲层。在该牺牲层上形成硬掩模层。在部分地除去硬掩模层，直到邻近于边角部分的牺牲层被露出之后，由除去牺牲层之后的空间中剩下的硬掩模层形成第二掩模。在衬底上可以容易地形成具有精细结构的微小图形。

公开(公告)号：CN119644670A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202410834309.4

申请日：2024-06-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校产学协力团

Inventor： 高次元 ,  尹孝在 ,  西恒宽 ,  林佳英

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及光致抗蚀剂组合物和使用光致抗蚀剂组合物形成图案的方法。公开了光致抗蚀剂组合物，其包括有机金属化合物和溶剂，所述有机金属化合物包括：包括金属、与所述金属配位的第一杂原子和与所述金属共价键合的第二杂原子的环、和取代或稠合到所述环的芳族环。