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公开(公告)号:CN111009487B
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN201910509645.0
申请日:2019-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 公开了一种裸芯片分离器和包括该裸芯片分离器的裸芯片供应设备。一种裸芯片分离器,包括:被配置为沿垂直方向支撑其上附接有裸芯片的膜的支撑件;位于支撑件的孔中,并且被配置为在垂直方向上并相对于支撑件移动其上附接有裸芯片的膜的升降装置;被配置为在垂直方向上移动升降装置的驱动器;位于至少部分地由升降装置的内表面限定的包围区域中,并且具有限定空气流动导管的内表面的空气导管导向器;被配置为基于在空气流动导管与压力调节器装置之间引起压力梯度来引起气体流动穿过空气流动导管的压力调节器装置;以及位于所述空气流动导管中,并且被配置为控制通过空气流动导管的至少一部分的空气的流动的导流器。
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公开(公告)号:CN110890263A
公开(公告)日:2020-03-17
申请号:CN201910515871.X
申请日:2019-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种干法清洗设备包括:腔室;基板支撑件,支撑腔室内的基板;喷头,布置在腔室的上部,以朝向基板供应干法清洗气体,喷头包括朝向基板支撑件的方向透射激光的光学窗口;等离子体发生器,被配置为从干法清洗气体产生等离子体;以及激光照射器,穿过光学窗口和等离子体在基板上照射激光,从而加热基板。
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公开(公告)号:CN111162001A
公开(公告)日:2020-05-15
申请号:CN201910666346.8
申请日:2019-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L27/146
Abstract: 提供了一种清洁半导体芯片的方法,所述方法包括:将第一极性组分施加到位于至少一个半导体芯片的表面上的保护层,以从所述至少一个半导体芯片的所述表面去除颗粒,并使所述颗粒悬浮在所述第一极性组分中;以及将表面张力小于所述第一极性组分的表面张力的第二极性组分施加到所施加的第一极性组分的中心部分,以将所述第一极性组分和所述颗粒推向所述至少一个半导体芯片的外围。
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公开(公告)号:CN111009487A
公开(公告)日:2020-04-14
申请号:CN201910509645.0
申请日:2019-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 公开了一种裸芯片分离器和包括该裸芯片分离器的裸芯片供应设备。一种裸芯片分离器,包括:被配置为沿垂直方向支撑其上附接有裸芯片的膜的支撑件;位于支撑件的孔中,并且被配置为在垂直方向上并相对于支撑件移动其上附接有裸芯片的膜的升降装置;被配置为在垂直方向上移动升降装置的驱动器;位于至少部分地由升降装置的内表面限定的包围区域中,并且具有限定空气流动导管的内表面的空气导管导向器;被配置为基于在空气流动导管与压力调节器装置之间引起压力梯度来引起气体流动穿过空气流动导管的压力调节器装置;以及位于所述空气流动导管中,并且被配置为控制通过空气流动导管的至少一部分的空气的流动的导流器。
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公开(公告)号:CN110176408A
公开(公告)日:2019-08-27
申请号:CN201811300516.2
申请日:2018-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了液体化学回收系统、液体化学供应系统和制造半导体装置的方法。液体化学回收系统包括:缓冲槽,从外部接收第一液体化学品;真空槽,具有连接至此的真空泵并使用真空泵从缓冲槽接收第一液体化学品;以及回收槽,从真空槽接收第一液体化学品并向外部提供作为回收的第一液体化学品的第二液体化学品,其中,缓冲槽包括提供第一液体化学品的第一注入部分以及将第一液体化学品提供到真空槽的第一供应部分,并且缓冲槽的底部朝向第一供应部分向下倾斜,以防止包含在第一液体化学品中的物质积累在缓冲槽中。
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