公开(公告)号：CN116504784A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202211221577.6

申请日：2022-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  刘贤琯 ,  李善英 ,  车知勳 ,  黄炅渊

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底，包括有源图案；沟道图案，在有源图案上并且包括半导体图案；源极/漏极图案，连接到半导体图案；栅电极，在半导体图案上；以及栅极介电层，在栅电极与半导体图案之间。栅极介电层的内部间隔件包括在高k介电层与第二半导体图案之间的水平部分、在高k介电层与源极/漏极图案之间的竖直部分以及在水平部分与竖直部分之间的拐角部分。水平部分的第一厚度小于竖直部分的第二厚度。竖直部分的第二厚度小于拐角部分的第三厚度。

公开(公告)号：CN111524827A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201911364983.6

申请日：2019-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车知勳 ,  李轸雨 ,  金石训 ,  金仁基 ,  辛承敃 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 提供了一种半导体器件制造设备。所述半导体器件制造设备包括：旋转器，被构造为保持晶圆；喷嘴，被构造为将液体化学品供应到晶圆的上表面上；以及激光模块，被构造为在喷嘴将液体化学品供应到晶圆的上表面上的同时通过将激光束辐射到晶圆的下表面来加热晶圆。

公开(公告)号：CN110176408A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201811300516.2

申请日：2018-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  朴晟见 ,  卢炫佑 ,  车知勳 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67 ,  B01D35/02 ,  B01D35/16

Abstract: 提供了液体化学回收系统、液体化学供应系统和制造半导体装置的方法。液体化学回收系统包括：缓冲槽，从外部接收第一液体化学品；真空槽，具有连接至此的真空泵并使用真空泵从缓冲槽接收第一液体化学品；以及回收槽，从真空槽接收第一液体化学品并向外部提供作为回收的第一液体化学品的第二液体化学品，其中，缓冲槽包括提供第一液体化学品的第一注入部分以及将第一液体化学品提供到真空槽的第一供应部分，并且缓冲槽的底部朝向第一供应部分向下倾斜，以防止包含在第一液体化学品中的物质积累在缓冲槽中。