晶片清洗设备
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111834249A

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN202010169351.0

    申请日:2020-03-12

    Abstract: 一种晶片清洗设备包括:外壳,所述外壳将被定位成与晶片相邻;中空区域,所述中空区域在所述外壳中;激光模块,所述激光模块输出激光束,所述激光束的分布包括具有第一强度的第一区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二区域,所述激光束被输出到所述中空区域中;以及透明窗,所述透明窗覆盖所述中空区域的上部,并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。

    半导体测量设备
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118548797A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410111809.5

    申请日:2024-01-26

    Abstract: 提供了一种半导体测量设备,该半导体测量设备包括:照明单元,其包括光源和光调制器,光调制器被配置为将由光源输出的光分解为多个波段并且生成至少两个选择的波段的输出光;第一光学单元,其包括设置在输出光的路径中的照明偏振元件;第二光学单元,其包括分束器、被配置为允许已经穿过第一光学单元的光入射到样本上的物镜、以及设置在反射光的路径上的自干涉发生器;传感器,其被配置为输出表示已经穿过自干涉发生器的光的干涉图案的原始图像;以及控制器,其被配置为处理原始图像并且确定样本中包括的结构的选择的临界尺寸。

    涂层单元及具有该涂层单元的电子装置

    公开(公告)号:CN106687224A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201580047446.2

    申请日:2015-07-28

    Abstract: 本发明公开了电子装置,所述电子装置通过允许将涂层单元涂覆在视窗的上部上而允许视窗具有防划伤和抗冲击保护,该涂层单元包括具有高硬度的涂覆层和具有低硬度的涂覆层。所述电子装置包括示模块、视窗和涂层单元,其中,视窗设置在显示模块的上部上以保护显示模块,涂层单元涂覆在视窗的上部上以具有防止视窗被损坏的硬度,其中所述涂层单元包括涂覆在视窗的上部上的第一涂覆层和涂覆在第一涂覆层的上部上以具有高硬度来防止视窗被划伤的第二涂覆层,其中第一涂覆层被涂覆成具有比第二涂覆层相对较低的硬度以吸收施加到视窗的冲击。

    晶片清洗设备
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111834249B

    公开(公告)日:2024-12-24

    申请号:CN202010169351.0

    申请日:2020-03-12

    Abstract: 一种晶片清洗设备包括:外壳,所述外壳将被定位成与晶片相邻;中空区域,所述中空区域在所述外壳中;激光模块,所述激光模块输出激光束,所述激光束的分布包括具有第一强度的第一区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二区域,所述激光束被输出到所述中空区域中;以及透明窗,所述透明窗覆盖所述中空区域的上部,并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。

    用于检查对象的表面的设备
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118150568A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202311594042.8

    申请日:2023-11-27

    Abstract: 提供了一种用于检查对象的表面的设备。在使用对象内的二次谐波产生的半导体检查中以高灵敏度检测弱的二次谐波。在将具有非常短的脉冲宽度的脉冲激光照射到作为对象的半导体装置的表面上并测量在半导体装置内产生的二次谐波的半导体检查设备中,二次谐波产生元件设置在光源和对象间以产生第一二次谐波。此外,该装置使用电光晶体仅调制第一二次谐波的相位,然后将基波照射到对象上。当基波照射到半导体装置上时,从其产生第二二次谐波。第一二次谐波在检测器上与第二二次谐波干涉,并且通过干涉获得的光的强度以与第一二次谐波的相位调制的周期相同的周期被调制。第二二次谐波的振幅可从其调制振幅获得且第二二次谐波的相位可从其调制相位测量。

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