晶片清洗设备
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111834249B

    公开(公告)日:2024-12-24

    申请号:CN202010169351.0

    申请日:2020-03-12

    Abstract: 一种晶片清洗设备包括:外壳,所述外壳将被定位成与晶片相邻;中空区域,所述中空区域在所述外壳中;激光模块,所述激光模块输出激光束,所述激光束的分布包括具有第一强度的第一区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二区域,所述激光束被输出到所述中空区域中;以及透明窗,所述透明窗覆盖所述中空区域的上部,并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。

    晶片清洗设备
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111834249A

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN202010169351.0

    申请日:2020-03-12

    Abstract: 一种晶片清洗设备包括:外壳,所述外壳将被定位成与晶片相邻;中空区域,所述中空区域在所述外壳中;激光模块,所述激光模块输出激光束,所述激光束的分布包括具有第一强度的第一区域和具有大于所述第一强度的第二强度的第二区域,所述激光束被输出到所述中空区域中;以及透明窗,所述透明窗覆盖所述中空区域的上部,并且透射所述激光束以使所述激光束入射在所述晶片的整个下表面上。

    清洗组合物、清洗装置以及制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN108109941A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201711191153.9

    申请日:2017-11-24

    Abstract: 一种清洗组合物包括表面活性剂、去离子(DI)水和有机溶剂。表面活性剂具有从约0.03M到约0.003M的浓度。一种清洗装置包括接收基板的卡盘、用于将清洗组合物提供到基板上的喷嘴。该清洗装置还包括将清洗组合物供应到喷嘴的化学溶液供应单元。该化学溶液供应单元混合清洗组合物以产生清洗颗粒。清洗组合物包括表面活性剂、去离子(DI)水和有机溶剂。表面活性剂具有从约0.03M到约0.003M的浓度。一种制造半导体器件的方法包括处理基板、形成层间绝缘层、抛光层间绝缘层、以及将清洗组合物提供到层间绝缘层上以去除第一颗粒。

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