公开(公告)号：CN111965959A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010008602.7

申请日：2020-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千知训 ,  李贤贞 ,  全杓珍 ,  赵庸真 ,  李源俊

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于制造半导体器件的装置和用于去除光刻胶的装置。所述用于制造半导体器件的装置可以包括喷嘴和紫外线发射器，所述喷嘴具有被构造成喷射溶液的狭缝，所述紫外线发射器设置在所述喷嘴的外部。所述紫外线发射器和所述喷嘴可以被构造成能够水平移动。所述狭缝可以设置在所述喷嘴的底表面上。

公开(公告)号：CN119560470A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202410939493.9

申请日：2024-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩政完 ,  金炳圭 ,  金正训 ,  金兑洪 ,  全杓珍 ,  郑锡焕

IPC: H01L23/488 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体芯片包括基板、依次在基板上的器件层和互连层、以及在互连层上的接合焊盘。接合焊盘的底表面可以位于恒定的水平处，接合焊盘的侧表面可以具有粗糙化的形状。

公开(公告)号：CN110858622A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910777502.8

申请日：2019-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全杓珍 ,  郑载琥 ,  白光铉

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：衬底上的层间绝缘结构，该层间绝缘结构具有孔；孔的下部中的底部电极；以及孔的上部中的图案，该图案包括相变图案或中间电极中至少之一，该图案的侧壁与衬底的顶表面限定角度，并且该角度随着与衬底的竖直距离增加而减小。