公开(公告)号：CN101159226B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200710088603.1

申请日：2007-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李芝英 ,  张大铉

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/947 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于形成图形的自对准构图方法，包括：在衬底上形成第一层；在第一层上形成多个第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形的顶表面和侧壁上形成牺牲层，由此在第一硬掩模图形的侧壁上形成牺牲层的各个面对部分之间的间隙；在该间隙中形成第二硬掩模图形；使用第二硬掩模图形作为掩模，蚀刻牺牲层，以露出第一硬掩模图形；使用所露出的第一硬掩模图形和第二硬掩模图形，露出第一层；以及使用第一和第二硬掩模图形蚀刻露出的第一层。

公开(公告)号：CN101241303A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810088172.3

申请日：2008-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊洙 ,  吕起成 ,  郭判硕 ,  赵汉九 ,  李芝英

IPC: G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/66 ,  H01L27/02 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及控制其图案的方法，其中可根据图案的临界尺寸(CD)，单独地控制由双图案化工艺形成的图案的电特性。该方法包括控制具有不同CD的两个或更多图案，从而最优地操作该图案。基于图案的CD，由提供给图案的信号单独地控制该图案。通过控制提供给各个图案的信号的大小和应用时间，控制该信号。

公开(公告)号：CN101159226A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710088603.1

申请日：2007-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李芝英 ,  张大铉

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/105 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/947 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于形成图形的自对准构图方法，包括：在衬底上形成第一层；在第一层上形成多个第一硬掩模图形；在第一硬掩模图形的顶表面和侧壁上形成牺牲层，由此在第一硬掩模图形的侧壁上形成牺牲层的各个面对部分之间的间隙；在该间隙中形成第二硬掩模图形；使用第二硬掩模图形作为掩模，蚀刻牺牲层，以露出第一硬掩模图形；使用所露出的第一硬掩模图形和第二硬掩模图形，露出第一层；以及使用第一和第二硬掩模图形蚀刻露出的第一层。