公开(公告)号：CN101320683A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810142886.8

申请日：2008-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金垠成 ,  金兑奎 ,  吴锡焕

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3213 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32

CPC classification number: H01L21/31133 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供一种再加工半导体衬底的方法和在不损伤有机抗反射涂层(ARC)的情况下使用再加工半导体衬底的方法形成半导体器件图案的方法。再加工半导体衬底的方法包括在形成有有机ARC的衬底上形成光致抗蚀剂图案。当光致抗蚀剂图案中存在缺陷时，可曝光其上形成有光致抗蚀剂图案的衬底的整个表面。整个表面曝光的光致抗蚀剂图案可通过执行不损伤有机ARC的显影工艺来移除。

公开(公告)号：CN1758138B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200510113435.8

申请日：2005-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗烈 ,  吴锡焕 ,  吕起成 ,  禹相均 ,  李淑 ,  朴柱温 ,  丁成坤

IPC: G03F1/14 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70466 ,  G03F1/00

Abstract: 提供掩模组，该掩模组可以用于在半导体器件的制造过程中限定具有第一间距图形的第一图形区域和具有第二间距图形的第二图形区域。这些掩模组可以包括第一掩模，具有第一曝光区域和第一屏蔽区域，在第一曝光区域中第一半色调图形限定第一图形区域，以及在第一屏蔽区域中第一遮蔽层覆盖第二图形区域。这些掩模组还可以包括第二掩模，具有第二曝光区域和第二屏蔽区域，在第二曝光区域中第二半色调图形限定第二图形区域，在第二屏蔽区域中第二遮蔽层覆盖第一图形区域。第二遮蔽层也从第二屏蔽区域延伸，以覆盖部分第二半色调图形。

公开(公告)号：CN1758138A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200510113435.8

申请日：2005-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗烈 ,  吴锡焕 ,  吕起成 ,  禹相均 ,  李淑 ,  朴柱温 ,  丁成坤

IPC: G03F1/14 ,  G03F1/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70466 ,  G03F1/00

Abstract: 提供掩模组，该掩模组可以用于在半导体器件的制造过程中限定具有第一间距图形的第一图形区域和具有第二间距图形的第二图形区域。这些掩模组可以包括第一掩模，具有第一曝光区域和第一屏蔽区域，在第一曝光区域中第一半色调图形限定第一图形区域，以及在第一屏蔽区域中第一遮蔽层覆盖第二图形区域。这些掩模组还可以包括第二掩模，具有第二曝光区域和第二屏蔽区域，在第二曝光区域中第二半色调图形限定第二图形区域，在第二屏蔽区域中第二遮蔽层覆盖第一图形区域。第二遮蔽层也从第二屏蔽区域延伸，以覆盖部分第二半色调图形。