公开(公告)号：CN1515961A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN02152489.0

申请日：1998-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相俊 ,  姜律 ,  郑东恒 ,  朴春根

IPC: G03F7/027 ,  C08F222/06

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  G03F7/039

Abstract: 本发明提供了一种用于化学放大抗蚀剂的抗蚀组合物，所述抗蚀组合物包含光酸引发剂和式(II)聚合物：其中R1选自氢和C1至C20脂烃；R2选自氢或甲基；R3选自叔丁基或四氢吡喃基；n和m各自为整数，其中n/(m+n)比例为0.1至0.5。本发明化学放大抗蚀组合物对干蚀工艺具有强的抗蚀性，对膜材料具有优良的粘合性，可利用常规显影剂显影。

公开(公告)号：CN1094850A

公开(公告)日：1994-11-09

申请号：CN94102787.2

申请日：1994-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴春根

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/02 ,  H01L23/488 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025

Abstract: 通过多次光刻工艺，为形成光致抗蚀剂图形，各自的光致抗蚀剂溶液选用正性和/或者负性的溶液，采用限定凸块形成区域的适当图形掩模，通过曝光形成光致抗蚀剂图形，由此，在半导体芯片的金属阻挡层上形成凸形。由于制造的凸块上部与其下部相等或者小于下部，在TAB封装内引线焊接期间，各凸块互相不会接触，即使由于产生的压力使凸块上部伸延也不会互相接触。采用多次光刻工艺，形成限定凸块区域的光致抗蚀剂图形，结果使凸块具有大的高宽比率。

公开(公告)号：CN100335971C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN02152489.0

申请日：1998-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相俊 ,  姜律 ,  郑东恒 ,  朴春根

IPC: G03F7/027 ,  C08F222/06

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  G03F7/039

Abstract: 本发明提供了一种用于化学放大抗蚀剂的抗蚀组合物，所述抗蚀组合物包含光酸引发剂和式(II)聚合物：其中R1选自氢和C1至C20脂烃；R2选自氢或甲基；R3选自叔丁基或四氢吡喃基；n和m各自为整数，其中n/(m+n)比例为0.1至0.5。本发明化学放大抗蚀组合物对干蚀工艺具有强的抗蚀性，对膜材料具有优良的粘合性，可利用常规显影剂显影。

公开(公告)号：CN1181520A

公开(公告)日：1998-05-13

申请号：CN97122568.0

申请日：1997-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜律 ,  崔相俊 ,  郑东垣 ,  朴春根 ,  高永范

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/039

Abstract: 在化学增强抗蚀剂中使用了共聚物和三元共聚物。该三元共聚物具有右通式(Ⅱ),其中R3、R4、R5、R6、m和n的定义如说明书中所述;同时还有一用于化学增强的抗蚀剂的抗蚀组合物,它含有一光敏酸发生剂和一具有上通式(Ⅲ)的聚合物,其中x、R7、R8、m和n的定义如说明书中所述。

公开(公告)号：CN1125836C

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN98125176.5

申请日：1998-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔相俊 ,  姜律 ,  郑东垣 ,  朴春根

IPC: C08F222/06 ,  G03F7/027

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C08F220/18 ,  C08F222/06 ,  G03F7/039

Abstract: 本发明提供了一种应用于化学放大抗蚀剂的光敏聚合物。光敏聚合物为式(I)：其中R1选自氢和C1至C20脂烃，n为整数。特别地，R1选自甲基、乙基、正丁基和环己基或R1选自含C7至C20脂环脂烃，如金刚烷基、降冰片基和异冰片基。本发明还提供了包含光酸引发剂和聚合物的化学放大抗蚀组合物。聚合物为式(II)：其中R1选自氢和C1至C20脂烃；R2选自氢或甲基；R3选自叔丁基或四氢吡喃基；n和m各自为整数，其中n/(m+n)比例为0.1至0.5。本发明化学放大抗蚀组合物对干蚀工艺具有强的抗蚀性，对膜材料具有优良的粘合性，可利用常规显影剂显影。

公开(公告)号：CN1053993C

公开(公告)日：2000-06-28

申请号：CN94105508.6

申请日：1994-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴春根 ,  吕起成 ,  朴正哲

IPC: H01L21/312 ,  G03F7/09 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/0276 ,  G03F7/091 ,  Y10S438/952

Abstract: 一种制造抗反射层的方法，包括涂覆聚合物溶液和随后用高温烘干的步骤，其中聚合物溶液包括选自由酚基树脂、水溶树脂、和丙烯酰基树脂组成的一组中的至少一种化合物作为主要组分。该方法是简化的，该层的反射率大为降低了。

公开(公告)号：CN1115496A

公开(公告)日：1996-01-24

申请号：CN94105508.6

申请日：1994-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴春根 ,  吕起成 ,  朴正哲

IPC: H01L21/312 ,  G03G5/10 ,  G03F7/004

CPC classification number: H01L21/0276 ,  G03F7/091 ,  Y10S438/952

Abstract: 一种制造抗反射层的方法，包括涂覆聚合物溶液和随后用高温烘干的步骤，其中聚合物溶液包括选自由酚基树脂、水溶树脂、和丙烯酰基树脂组成的一组中的至少一种化合物作为主要组分。该方法是简化的，该层的反射率大为降低了。

公开(公告)号：CN1102504A

公开(公告)日：1995-05-10

申请号：CN94107870.1

申请日：1994-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟汉 ,  朴春根 ,  河善镐

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01094 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种制造芯片金属隆起部的方法，包括以下步骤：在形成焊接区的衬底上形成阻挡层金属层；在阻挡层金属层上形成光致抗蚀剂层以及在焊接区处开窗口；通过对窗口区电镀形成芯片隆起部；用该隆起部作为掩模选择性地去除光致抗蚀剂层；用残留的光致抗蚀剂层作为掩模腐蚀阻挡层金属层的预定区域；以及通过去除残留的光致抗蚀剂层在该焊接区上形成芯片隆起部，从而得到高质量的芯片隆起部并在降低生产成本的同时简化制造工艺。

公开(公告)号：CN1141619C

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN97122568.0

申请日：1997-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜律 ,  崔相俊 ,  郑东垣 ,  朴春根 ,  高永范

IPC: G03F7/039

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/039

Abstract: 在化学增强抗蚀剂中使用了共聚物和三元共聚物。该三元共聚物具有下述通式(II)，其中R3、R4、R5、R6、m和n的定义如说明书中所述；同时还有一用于化学增强的抗蚀剂的抗蚀组合物，它含有一光敏酸发生剂和一具有下述通式(III)的聚合物，其中x、R7、R8、m和n的定义如说明书中所述。

公开(公告)号：CN1061470C

公开(公告)日：2001-01-31

申请号：CN94102787.2

申请日：1994-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴春根

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/50

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025

Abstract: 通过多次光刻工艺，为形成光致抗蚀剂图形，各自的光致抗蚀剂溶液选用正性和/或者负性的溶液，采用限定凸块形成区域的适当图形掩模，通过曝光形成光致抗蚀剂图形，由此，在半导体芯片的金属阻挡层上形成凸块。由于制造的凸块上部与其下部相等或者小于下部，在TAB封装内引线焊接期间，各凸块互相不会接触，即使由于产生的压力使凸块上部伸延也不会互相接触。采用多次光刻工艺，形成限定凸块区域的光致抗蚀剂图形，结果使凸块具有大的高宽比率。