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公开(公告)号：CN1117205A
公开(公告)日：1996-02-21
申请号：CN95107381.8
申请日：1995-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/74
CPC classification number: H01L21/76876 , H01L21/28518 , H01L21/76838 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76862 , H01L21/76865 , H01L21/76882 , Y10S257/915
Abstract: 一种半导体器件的布线结构填埋一个开口(如接触孔或通孔)。该布线结构包括半导体衬底、在衬底上形成的绝缘层(该绝缘层中形成有开口)、在该开口内侧壁上形成的不带由难熔金属或难熔金属化合物组成的晶粒边界的平坦表面的扩散阻挡膜，以及在该扩散阻挡膜上形成的金属层。该扩散阻挡膜侧壁上的金属层由均匀和连续形成的、具有良好台阶覆盖范围的铝膜组成。因此，有效地填埋具有高纵横比的接触孔和提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN1061782C
公开(公告)日：2001-02-07
申请号：CN95107381.8
申请日：1995-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/283
CPC classification number: H01L21/76876 , H01L21/28518 , H01L21/76838 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76862 , H01L21/76865 , H01L21/76882 , Y10S257/915
Abstract: 一种半导体器件的布线结构填埋一个开口(如接触孔或通孔)。该布线结构包括半导体衬底、在衬底上形成的绝缘层(该绝缘层中形成有开口)、在该开口内侧壁上形成的不带由难熔金属或难熔金属化合物组成的晶粒边界的平坦表面的扩散阻挡膜，以及在该扩散阻挡膜上形成的金属层。该扩散阻挡膜侧壁上的金属层由均匀和连续形成的、具有良好台阶覆盖范围的铝膜组成。因此，有效地填埋具有高纵横比的接触孔和提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN1102504A
公开(公告)日：1995-05-10
申请号：CN94107870.1
申请日：1994-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L24/12 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05558 , H01L2224/05624 , H01L2224/1147 , H01L2224/11901 , H01L2224/13007 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01058 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01094 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014
Abstract: 一种制造芯片金属隆起部的方法，包括以下步骤：在形成焊接区的衬底上形成阻挡层金属层；在阻挡层金属层上形成光致抗蚀剂层以及在焊接区处开窗口；通过对窗口区电镀形成芯片隆起部；用该隆起部作为掩模选择性地去除光致抗蚀剂层；用残留的光致抗蚀剂层作为掩模腐蚀阻挡层金属层的预定区域；以及通过去除残留的光致抗蚀剂层在该焊接区上形成芯片隆起部，从而得到高质量的芯片隆起部并在降低生产成本的同时简化制造工艺。
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