晶片清洗系统
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1267971C

    公开(公告)日:2006-08-02

    申请号:CN03107357.3

    申请日:2003-03-20

    Abstract: 本发明的各实施例包括超声能量清洗装置,能够旋转要清洁的晶片,并在清洁作用期间旋转清洁探杆。清洁晶片的同时旋转清洁探杆可以有效地增加装置的清洁作用,同时减小了形成晶片图形损伤。在旋转的清洁探杆中腐蚀出弯曲的槽,例如螺旋槽,可以减少潜在地损伤晶片表面或已形成在表面上的结构的有害波。使用具有弯曲槽的清洁探杆同时也旋转清洁探杆可以有效地从晶片上清洁掉粒子,同时也限制了对晶片表面的损伤。

    晶片清洗系统
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1453827A

    公开(公告)日:2003-11-05

    申请号:CN03107357.3

    申请日:2003-03-20

    Abstract: 本发明的各实施例包括超声能量清洗装置,能够旋转要清洁的晶片,并在清洁作用期间旋转清洁探杆。清洁晶片的同时旋转清洁探杆可以有效地增加装置的清洁作用,同时减小了形成晶片图形损伤。在旋转的清洁探杆中腐蚀出弯曲的槽,例如螺旋槽,可以减少潜在地损伤晶片表面或已形成在表面上的结构的有害波。使用具有弯曲槽的清洁探杆同时也旋转清洁探杆可以有效地从晶片上清洁掉粒子,同时也限制了对晶片表面的损伤。

    在半导体晶片上形成光刻胶图形的方法

    公开(公告)号:CN1175788A

    公开(公告)日:1998-03-11

    申请号:CN97119281.2

    申请日:1997-08-23

    Inventor: 吕起成 南廷林

    Abstract: 本发明公开了用远紫外辐射在半导体晶片上形成光刻胶图形、以防止光刻胶图形在构图过程中烧毁的更有效的方法,该方法包括以下步骤:用远紫外辐射对光刻胶图形进行充分的曝光,以控制光刻胶的热流动量;在较高温度下烘烤光刻胶图形,以固化光刻胶图形。即使随后在很高的温度下用光刻胶图形作掩模进行刻蚀工艺,但由于在烘烤前用远紫外辐射对光刻胶图形进行了充分曝光,所以可以防止光刻胶图形的烧毁。

Patent Agency Ranking