公开(公告)号：CN1452218A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN03108456.7

申请日：2003-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕寅准 ,  尹炳文 ,  金坰显 ,  河商录 ,  南廷林 ,  赵显镐

IPC: H01L21/302 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/12 ,  Y10S134/902

Abstract: 一种晶片清洁装置，包括放置在晶片侧部的能量集中消除部件。探杆的延伸部分基本上平行晶片表面并在其之上延伸。振动器附装到探杆的后端以振动探杆，以便该延伸部分将声振动能量传递到晶片并驱除杂质。

公开(公告)号：CN100336178C

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN03108456.7

申请日：2003-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕寅准 ,  尹炳文 ,  金坰显 ,  河商录 ,  南廷林 ,  赵显镐

IPC: H01L21/302 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/12 ,  Y10S134/902

Abstract: 一种晶片清洁装置，包括放置在晶片侧部的能量集中消除部件。探杆的延伸部分基本上平行晶片表面并在其之上延伸。振动器附装到探杆的后端以振动探杆，以便该延伸部分将声振动能量传递到晶片并驱除杂质。

公开(公告)号：CN1329959C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN02143435.2

申请日：2002-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹炳文 ,  河商录 ,  金坰显 ,  赵显镐 ,  吕寅准 ,  南廷林

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/12 ,  Y10S134/902

Abstract: 提供一种用于去掉晶片上的污染物颗粒的强声波清洗设备。强声波清洗设备包括压电变换器和能量传输棒。压电变换器用于产生强声波能量。沿着晶片径向安装在晶片上的能量传输棒用于给晶片上的清洗液分配能量和用于振动清洗液。能量传输棒的形状和尺寸使得通过清洗液在晶片径向均匀分配能量，由此从晶片去掉污染物颗粒。

公开(公告)号：CN1267971C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN03107357.3

申请日：2003-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕寅准 ,  金坰显 ,  南廷林 ,  尹炳文 ,  赵显镐 ,  河商录

IPC: H01L21/302 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/02 ,  B08B3/12 ,  Y10S134/902 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明的各实施例包括超声能量清洗装置，能够旋转要清洁的晶片，并在清洁作用期间旋转清洁探杆。清洁晶片的同时旋转清洁探杆可以有效地增加装置的清洁作用，同时减小了形成晶片图形损伤。在旋转的清洁探杆中腐蚀出弯曲的槽，例如螺旋槽，可以减少潜在地损伤晶片表面或已形成在表面上的结构的有害波。使用具有弯曲槽的清洁探杆同时也旋转清洁探杆可以有效地从晶片上清洁掉粒子，同时也限制了对晶片表面的损伤。

公开(公告)号：CN103426984A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310170557.5

申请日：2013-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕寅准 ,  金玄永 ,  宋尚烨

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供了一种制造氮化镓（GaN）基半导体发光器件的方法。在衬底上形成发光结构，并且该发光结构包括n型半导体层、有源层以及由包含镓（Ga）的氮化物半导体形成的p型半导体层。在p型半导体层上沉积金属层，并进行热处理，以形成镓-金属化合物。去除在p型半导体层上形成的镓-金属化合物。在已去除了镓-金属化合物的p型半导体层的上表面上沉积电极。镓-金属化合物的形成包括在p型半导体层的表面中形成镓空位。

公开(公告)号：CN100576450C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200510116124.7

申请日：2005-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕寅准 ,  李源俊 ,  金泰贤 ,  金志红 ,  尹炳文

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括，在衬底上形成绝缘图形。绝缘图形具有露出衬底表面的至少一个开口。然后，在衬底上形成第一多晶硅层，以便第一多晶硅层填充开口。第一多晶硅层还包括在其中的空隙。第一多晶硅层的上部被除去，以便空隙扩大到凹部，以及凹部被露出。在衬底上形成第二多晶硅层，以便第二多晶硅层填充凹部。

公开(公告)号：CN1779916A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510116124.7

申请日：2005-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕寅准 ,  李源俊 ,  金泰贤 ,  金志红 ,  尹炳文

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括，在衬底上形成绝缘图形。绝缘图形具有露出衬底表面的至少一个开口。然后，在衬底上形成第一多晶硅层，以便第一多晶硅层填充开口。第一多晶硅层还包括在其中的空隙。第一多晶硅层的上部被除去，以便空隙扩大到凹部，以及凹部被露出。在衬底上形成第二多晶硅层，以便第二多晶硅层填充凹部。

公开(公告)号：CN1453827A

公开(公告)日：2003-11-05

申请号：CN03107357.3

申请日：2003-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕寅准 ,  金坰显 ,  南廷林 ,  尹炳文 ,  赵显镐 ,  河商录

IPC: H01L21/302 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/02 ,  B08B3/12 ,  Y10S134/902 ,  Y10S438/906

Abstract: 本发明的各实施例包括超声能量清洗装置，能够旋转要清洁的晶片，并在清洁作用期间旋转清洁探杆。清洁晶片的同时旋转清洁探杆可以有效地增加装置的清洁作用，同时减小了形成晶片图形损伤。在旋转的清洁探杆中腐蚀出弯曲的槽，例如螺旋槽，可以减少潜在地损伤晶片表面或已形成在表面上的结构的有害波。使用具有弯曲槽的清洁探杆同时也旋转清洁探杆可以有效地从晶片上清洁掉粒子，同时也限制了对晶片表面的损伤。

公开(公告)号：CN1447392A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN02143435.2

申请日：2002-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹炳文 ,  河商录 ,  金坰显 ,  赵显镐 ,  吕寅准 ,  南廷林

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/12

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/12 ,  Y10S134/902

Abstract: 提供一种用于去掉晶片上的污染物颗粒的强声波清洗设备。强声波清洗设备包括压电变换器和能量传输棒。压电变换器用于产生强声波能量。沿着晶片径向安装在晶片上的能量传输棒用于给晶片上的清洗液分配能量和用于振动清洗液。能量传输棒的形状和尺寸使得通过清洗液在晶片径向均匀分配能量，由此从晶片去掉污染物颗粒。