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公开(公告)号：CN113109938A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202011384130.1
申请日：2020-12-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 极紫外光源的激光束传递设备可包括：高功率种子模块，其被配置为生成激光束；功率放大器，其被配置为放大由高功率种子模块生成的激光束；束传输模块，其被配置为收集和移动由功率放大器放大的激光束；最终聚焦组装光学平台，其被配置为调节由束传输模块收集和移动的激光束的焦点；以及聚焦单元，其被配置为采用由最终聚焦组装光学平台调节的焦点将激光束聚焦至目标微滴。功率放大器可以包括位置调节器，该位置调节器被配置为调节激光束的位置。位置调节器可以包括具有平坦表面的折射板。功率放大器可以包括指向调节器，该指向调节器可以包括镜。
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公开(公告)号：CN115863235A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211098595.X
申请日：2022-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供光学设备和对准检查光学设备。光学设备包括：折叠镜，其被配置为将第一照明光和第二照明光分别引导在第一对准标记和第二对准标记上并且分别在不同的水平方向上反射从第一对准标记和第二对准标记反射的第一反射光和第二反射光；第一透镜和第二透镜分别布置在从折叠镜的第一反射表面和第二反射表面反射的第一反射光和第二反射光的光路中；第一反射部分和第二反射部分，其被配置为分别反射穿过第一透镜和第二透镜的第一反射光和第二反射光；和分束器棱镜，其被配置为将通过第一表面入射的照明光划分成第一照明光和第二照明光并引导到第一反射部分和第二反射部分，并通过第二表面透射第一反射部分和第二反射部分反射的第一反射光和第二反射光。
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公开(公告)号：CN117870550A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202310764926.7
申请日：2023-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01B11/02
Abstract: 提供了一种被配置为检测衬底的高度水平的水平传感器、以及包括该水平传感器的衬底处理装置。该水平传感器包括：测量光源，被配置为朝向衬底照射测量光；棱镜，被配置为将测量光的反射光分成第一偏振光和第二偏振光，并在第一偏振光和第二偏振光之间产生第一光程差；光程调制器，被配置为保持第一偏振光的光程恒定，并周期性地改变第二偏振光的光程；以及检测器，被配置为基于第一偏振光和第二偏振光之间的干涉信号来检测第一光程差。
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公开(公告)号：CN110927839A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910634279.1
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种光学重排器件，包括具有基本上六面体形状的光学块。光学块包括正面、顶面、第一侧面、底面、第二侧面和背面。顶面与底面平行。光学块被布置成使得当输入光束通过正面以与正面成直角的方式入射时，输入光束在顶面、底面、第一侧面和第二侧面中的每个面处被全反射，并且输出光束通过正面或背面以与正面或背面成直角的方式被输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109782381A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811045378.8
申请日：2018-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李贞彻
IPC: G02B5/04
Abstract: 提供了一种全内反射棱镜单元、全内反射棱镜组件和用于形成线光束的设备。所述全内反射棱镜单元可包括第一棱镜和第二棱镜。所述第一棱镜可包括第一全反射表面和第二全反射表面，所述第一全反射表面使在第一水平方向上入射的光沿着与所述第一水平方向基本垂直的第二水平方向全反射，所述第二全反射表面使从所述第一全反射表面全反射的光沿着所述第一水平方向全反射，以形成第一光束。所述第二棱镜可包括第三全反射表面和第四全反射表面，所述第三全反射表面使所述光沿着与所述第一水平方向基本垂直的第三水平方向全反射，所述第四全反射表面使从所述第三全反射表面全反射的光沿着所述第一水平方向全反射，以形成第二光束。所述第二光束可沿着所述第三水平方向与所述第一光束是不连续的。
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公开(公告)号：CN119943706A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411470355.7
申请日：2024-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种层沉积设备包括：处理室，所述处理室被配置提供用于处理衬底的空间，所述处理室包括限定内部空间的上腔室和下腔室；衬底支撑件，所述衬底支撑件设置在所述处理室内并且被配置为支撑所述衬底；灯加热部，所述灯加热部在所述处理室外部设置在所述上腔室上方，并且包括被配置为通过所述上腔室将光照射到所述衬底上的多个光源；以及干涉薄层图案，所述干涉薄层图案设置在所述上腔室的上表面上，并且被配置为反射来自所述多个光源的光的至少一部分。
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公开(公告)号：CN115870634A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211198019.2
申请日：2022-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/064 , B23K26/70 , H01L21/78 , B23K101/40
Abstract: 公开了一种用于切分衬底的方法和设备。该用于切分衬底的方法包括：设置用于在目标衬底内形成第一改造区的目标高度，目标高度是从目标衬底的上表面至第一改造区的距离；向包括第一膜和与第一膜接触的第二膜的第一样本衬底辐射激光束，并且基于致使在第一膜的与第二膜接触的上表面上形成激光束的会聚点的样本条件设置目标条件；以及根据目标条件用激光束辐射目标衬底，以在目标衬底内形成第一改造区，其中，第二膜的厚度是目标高度。
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公开(公告)号：CN113777889A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110284405.2
申请日：2021-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 公开了半导体制造装置及其操作方法。半导体制造装置包括振荡单元和极紫外生成单元，振荡单元包括第一种子激光器、第二种子激光器和种子模块，其中，第一种子激光器使第一脉冲振荡，并且其中，第二种子激光器使第二脉冲振荡，并且极紫外生成单元被配置为使用第一脉冲和第二脉冲生成极紫外光。种子模块包括多个反射镜以及脉冲控制光学系统，多个反射镜被配置为使第一脉冲和第二脉冲分别沿着第一路径和第二路径行进，并且脉冲控制光学系统包括第一光学元件、第二光学元件和第三光学元件。脉冲控制光学系统在不与第一路径重叠的第二路径上。第三光学元件包括第一光学元件与第二光学元件之间的透镜。
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公开(公告)号：CN112838053A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011094982.7
申请日：2020-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种基板切割方法和一种制造半导体器件的方法。该基板切割方法可以包括：使用激光束在基板中形成改性图案；研磨基板的底表面以减薄基板；以及伸展基板以将基板分割成多个半导体芯片。改性图案的形成可以包括在基板中形成第一改性图案以及将边缘聚焦光束提供到与第一改性图案交叉的区域以形成与第一改性图案接触的第二改性图案。
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