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公开(公告)号:CN101684086B
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN200910203900.5
申请日:2009-05-22
Applicant: 锦湖石油化学株式会社
IPC: C07C321/28 , C07C309/12 , C08F220/38 , C08F220/04 , C08F220/10 , C08F220/22 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/20
CPC classification number: C07C381/12 , C07C309/12 , C08F20/38 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 提供了一种由下式(1)表示的化合物:[式1],其中R1表示氢原子、三氟甲基、具有1-5个碳原子的烷基、或具有1-5个碳原子的烷氧基;A表示由下式(2)或下式(3)代表的基团:[式2],[式3]R5-I-R6,其中R2、R3、R4、R5和R6各自独立地表示取代或未取代的具有1-20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有3-10个碳原子的烯丙基、取代或未取代的具有1-10个碳原子的全氟烷基、取代或未取代的苄基、或取代或未取代的具有6-30个碳原子的芳基;且两个或更多个R2、R3和R4可以彼此连接,以形成饱和或不饱和的碳环,或者饱和或不饱和的杂环;包含根据本发明的式1化合物制备的聚合物化合物的化学放大型抗蚀剂组合物提供了对远紫外辐射敏感的化学放大型抗蚀剂,远紫外辐射的代表为KrF准分子激光或ArF准分子激光。所述抗蚀剂组合物不太依赖于基材,并具有优异的粘合性、在目标波长区中的优异的透明性、以及优异的耐干法蚀刻性,并且从所述抗蚀剂组合物可以形成感光度、分辨率和显影性优异的抗蚀图。
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公开(公告)号:CN102344437B
公开(公告)日:2014-05-07
申请号:CN201110206830.6
申请日:2008-11-13
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C07D327/04 , C07D333/46 , C07D335/02 , C07D333/76 , C07C381/12
CPC classification number: G03F7/0045 , C07D327/02 , C07D327/04 , C07D497/08 , C08K5/36 , C08K5/42 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123
Abstract: 本发明提供抗蚀剂组合物、使用该抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案的形成方法、用作该抗蚀剂组合物用产酸剂的化合物、用作该化合物的前体的化合物以及该产酸剂。其中,涉及通式(I)表示的化合物;以及通式(b1-1)表示的化合物(式中,Q1是2价连接基团或单键;Y1是可具有取代基的亚烷基或可具有取代基的氟代亚烷基;X表示可具有取代基的碳原子数为3~30的环式基,该环结构中具有-SO2-键。M+是碱金属离子。A+是有机阳离子。)
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公开(公告)号:CN102317863B
公开(公告)日:2013-11-20
申请号:CN201080007945.6
申请日:2010-02-12
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: C07F9/5728 , C07D209/88 , C08F2/50 , G03F7/031 , Y10S430/106 , Y10S430/127
Abstract: 本发明涉及新结构的光活性化合物和含有该光活性化合物的光敏树脂组合物。本发明的光活性化合物由于具有硝基和膦酸酯结构能有效吸收UV光源而具有高敏感性。此外,所述光活性化合物通过与粘合剂树脂和膦酸酯结构的高相容性来改进光敏树脂组合物的可溶性而具有优异的残留膜率、高机械强度、耐热性、耐化学性和耐显影性。因此,所述光敏树脂组合物在硬化液晶显示器的柱状间隔物材料、外涂层材料和钝化材料方面有利,以及高温加工特性有利。
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公开(公告)号:CN101681109B
公开(公告)日:2013-07-17
申请号:CN200880018454.4
申请日:2008-05-20
Applicant: 3M创新有限公司
CPC classification number: G03F7/0041 , G03F7/0045 , H01L31/1888 , Y02E10/50 , Y10S430/106 , Y10S430/11 , Y10S430/111 , Y10S430/115 , Y10S430/122 , Y10S430/126
Abstract: 本发明提供了一种制品,所述制品包括基底,所述基底包括可酸蚀刻层、水溶性聚合物基质和光酸产生剂。本发明还提供了一种图案化的方法,所述方法可提供可用于形成电活性器件的图案化层。
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公开(公告)号:CN101963758B
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN201010237847.3
申请日:2010-07-23
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , Y10S430/106
Abstract: 本发明公开了杯芳烃混合分子的玻璃光致抗蚀剂及使用方法。本发明公开了光致抗蚀剂组合物,包括:至少一种完全保护的杯[4]间苯二酚芳烃和至少一种未保护的杯[4]间苯二酚芳烃的混合物,其中,完全保护的杯[4]间苯二酚芳烃具有用酸不稳定的保护基保护的酚基;光酸产生剂;和溶剂,其中,所述混合物和光酸产生剂可溶于该溶剂中。本发明还公开了使用该光致抗蚀剂组合物在基底上产生抗蚀剂图像的方法。
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公开(公告)号:CN101553549B
公开(公告)日:2013-02-20
申请号:CN200780045670.3
申请日:2007-12-12
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , C08K5/29 , C08L61/00 , C08L63/00 , C09D7/63 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/114 , Y10S430/12
Abstract: 本发明涉及一种光产碱剂,其含有具有氮原子和共轭多重键的化合物。
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公开(公告)号:CN1685285B
公开(公告)日:2012-11-21
申请号:CN03823350.9
申请日:2003-08-28
Inventor: 马芒德·M·科贾斯特 , 陈光荣 , 普什卡拉·R·瓦拉纳西 , 西村行雄 , 小林英一
IPC: G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0395 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/115
Abstract: 一种能够用193nm射线和/或可能的其他射线成像并且能够显影形成显影性能和抗蚀性均得以改善的抗蚀剂结构的酸催化正抗蚀剂组合物,可以通过使用含成像聚合物组分的抗蚀剂组合物得到,成像聚合物组分包含具有单体单元的酸敏性聚合物,这些单体单元具有含远端酸不稳定性部分的侧基。
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公开(公告)号:CN102566267A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201110402834.1
申请日:2008-11-13
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/00 , C07D327/04 , C07D333/46 , C07D335/02 , C07D333/76 , C07C381/12
CPC classification number: G03F7/0045 , C07D327/02 , C07D327/04 , C07D497/08 , C08K5/36 , C08K5/42 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123
Abstract: 本发明提供抗蚀剂组合物、使用该抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案的形成方法、用作该抗蚀剂组合物用产酸剂的新型化合物、用作该化合物的前体的化合物以及该产酸剂。其中,涉及通式(I)表示的化合物;以及通式(b1-1)表示的化合物(式中,Q1是2价连接基团或单键;Y1是可具有取代基的亚烷基或可具有取代基的氟代亚烷基;X表示可具有取代基的碳原子数为3~30的环式基,该环结构中具有-SO2-键。M+是碱金属离子。A+是有机阳离子)。
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公开(公告)号:CN102414619A
公开(公告)日:2012-04-11
申请号:CN201080017617.4
申请日:2010-04-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31116 , C08G59/08 , C08L63/00 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/3081 , Y10S430/106
Abstract: 本发明的课题是提供在使用了EUV光刻的器件制作工序中使用并降低由EUV造成的不良影响、对获得良好的抗蚀剂图案有效的EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物,以及使用该EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成法。作为解决本发明课题的方法是提供包含含有卤原子的酚醛清漆树脂的半导体器件制造中使用的EUV光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物。酚醛清漆树脂包含由环氧基、羟基或它们的组合构成的交联形成基团。卤原子是溴或碘原子。酚醛清漆树脂是酚醛清漆树脂或环氧化酚醛清漆树脂与卤代苯甲酸的反应生成物。酚醛清漆树脂是缩水甘油基氧基酚醛清漆树脂与二碘水杨酸的反应生成物。
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公开(公告)号:CN102344437A
公开(公告)日:2012-02-08
申请号:CN201110206830.6
申请日:2008-11-13
Applicant: 东京应化工业株式会社
IPC: C07D327/04 , C07D333/46 , C07D335/02 , C07D333/76 , C07C381/12
CPC classification number: G03F7/0045 , C07D327/02 , C07D327/04 , C07D497/08 , C08K5/36 , C08K5/42 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123
Abstract: 本发明提供抗蚀剂组合物、使用该抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案的形成方法、用作该抗蚀剂组合物用产酸剂的新型化合物、用作该化合物的前体的化合物以及该产酸剂。其中,涉及通式(I)表示的化合物;以及通式(b1-1)表示的化合物(式中,Q1是2价连接基团或单键;Y1是可具有取代基的亚烷基或可具有取代基的氟代亚烷基;X表示可具有取代基的碳原子数为3~30的环式基,该环结构中具有-SO2-键。M+是碱金属离子。A+是有机阳离子。)
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