EUV光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物

    公开(公告)号:CN102414619A

    公开(公告)日:2012-04-11

    申请号:CN201080017617.4

    申请日:2010-04-15

    Abstract: 本发明的课题是提供在使用了EUV光刻的器件制作工序中使用并降低由EUV造成的不良影响、对获得良好的抗蚀剂图案有效的EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物,以及使用该EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成法。作为解决本发明课题的方法是提供包含含有卤原子的酚醛清漆树脂的半导体器件制造中使用的EUV光刻工艺用抗蚀剂下层膜形成用组合物。酚醛清漆树脂包含由环氧基、羟基或它们的组合构成的交联形成基团。卤原子是溴或碘原子。酚醛清漆树脂是酚醛清漆树脂或环氧化酚醛清漆树脂与卤代苯甲酸的反应生成物。酚醛清漆树脂是缩水甘油基氧基酚醛清漆树脂与二碘水杨酸的反应生成物。

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