公开(公告)号：CN106154766A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610290516.3

申请日：2016-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全桓彻 ,  金文子 ,  权星元 ,  金炳局 ,  R.查利克 ,  郑镛席 ,  崔在爀

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种用于包括极紫外线(EUV)光刻的光刻工艺的保护膜可以减轻在保护膜的隔膜中的热积累。保护膜包括隔膜和在隔膜的至少一个表面上的至少一个热缓冲层。热缓冲层的发射率可以大于隔膜的发射率。热缓冲层的碳含量可以大于隔膜的碳含量。多个热缓冲层可以在隔膜的分开的表面上，热缓冲层可具有不同的性能。盖层可以在至少一个热缓冲层上，盖层可以包括抗氢材料。热缓冲层可以在隔膜的表面的某些部分或全部之上延伸。热缓冲层可以在至少两个隔膜之间。

公开(公告)号：CN106154766B

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201610290516.3

申请日：2016-05-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全桓彻 ,  金文子 ,  权星元 ,  金炳局 ,  R.查利克 ,  郑镛席 ,  崔在爀

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种用于包括极紫外线(EUV)光刻的光刻工艺的保护膜可以减轻在保护膜的隔膜中的热积累。保护膜包括隔膜和在隔膜的至少一个表面上的至少一个热缓冲层。热缓冲层的发射率可以大于隔膜的发射率。热缓冲层的碳含量可以大于隔膜的碳含量。多个热缓冲层可以在隔膜的分开的表面上，热缓冲层可具有不同的性能。盖层可以在至少一个热缓冲层上，盖层可以包括抗氢材料。热缓冲层可以在隔膜的表面的某些部分或全部之上延伸。热缓冲层可以在至少两个隔膜之间。

公开(公告)号：CN116782638A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310221709.3

申请日：2023-03-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全桓彻 ,  金渊秀 ,  李荣湜 ,  金爀 ,  朴相郁

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了半导体存储器件及制造其的方法。所述半导体存储器件包括：衬底；接触电极，在第一方向上延伸，每个所述接触电极包括具有第一厚度的连接部和具有第二厚度的着陆部；最上面的接触电极，位于所述接触电极上方，接触电极在所述第一方向上比所述最上面的接触电极长并且限定台阶结构；晶体管主体，在第二方向上延伸，并且具有在第二方向上顺序排列的第一源极/漏极区、单晶沟道层和第二源极/漏极区，单晶沟道层连接到对应的所述接触电极；下电极层，连接到每个所述晶体管主体的所述第二源极/漏极区；电容器电介质层，覆盖所述下电极层并具有均匀的厚度；以及上电极层，与下电极层通过电容器电介质层分离。