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公开(公告)号：CN109062011A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810836430.5
申请日：2018-07-26
申请人： 长鑫存储技术有限公司
发明人： 不公告发明人
CPC分类号： G03F7/2008 , G03F7/30 , G03F7/42
摘要： 本发明提供一种光刻方法、刻蚀方法及半导体结构，光刻方法包括如下步骤：1）提供一晶圆，晶圆包括有效区域及边缘区域；有效区域内包括若干个间隔分布的芯片区以及芯片区之间的第一切割道，边缘区域内包括若干个间隔分布的畸零区以及畸零区之间的第二切割道，芯片区和畸零区之间形成有第三切割道；2）于晶圆上形成牺牲阻挡层，覆盖边缘区域的畸零区及至少一第二切割道；3）于步骤2）所得结构的上形成第一光刻胶层，连续式覆盖有效区域及边缘区域上牺牲阻挡层；4）进行晶圆曝光及显影，以将第一光刻胶层进行图形化处理；显影后，保留牺牲阻挡层的覆盖图形。本发明可以避免边缘缺陷的产生，艺简单，可以显著提高产量，节约生产成本，便于量产。
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公开(公告)号：CN105892237B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201610291349.4
申请日：2013-05-22
申请人： 株式会社尼康
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2008
摘要： 照明装置(IU)具有：第1光源部(21a)；光的射出方向与第1光源部不同的第2光源部(21b)；和以使来自第1光源部的光和来自第2光源部的光的行进方向一致的方式使光的至少一部分偏转的偏转部(22)。第1光源部和第2光源部以使从各光源部射出并经由偏转部的光所射入的照明区域沿规定方向连续地排列的方式在规定方向上配置在不同位置。
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公开(公告)号：CN107621755A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710575782.5
申请日：2017-07-14
申请人： 苏斯微技术光刻有限公司
发明人： 保罗·凯撒
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70191 , G02B26/08 , G03F7/20 , G03F7/2004 , G03F7/2008 , G03F7/201 , G03F7/7005 , G03F7/70075 , G03F7/70391 , G03F7/70575 , H01L21/027
摘要： 一种用于光刻曝光系统(10)的光源布置(12)，包括：具有不同波长的至少三个光源(18、20、22)；以及分束单元(16)，其包括至少三个输入、一个输出和至少两个反射面。输入被分配给每个光源(18、20、22)和每个反射面。反射面将从分配给其对应输入的光源(20、22)发射的光反射到输出中。三个光源(18、20、22)被布置在分束单元(16)周围的三个不同的侧上。另外，示出了光刻曝光系统(10)。
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公开(公告)号：CN104749764B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201410806274.X
申请日：2014-12-22
申请人： 佳能株式会社
发明人： 崔长植
CPC分类号： G03F7/2008 , G02B26/06 , G02B26/0825 , G03F7/70266
摘要： 本公开内容涉及光学装置、投影光学系统、曝光装置和制造物品的方法。本发明提供一种使反射镜的反射表面变形的光学装置，该光学装置包括：基板；固定构件，其被配置为将反射镜的包括反射镜的中心的部分固定到基板；以及多个致动器，每个致动器具有连接到反射镜的第一端和连接到基板的第二端，并且被配置为向反射镜的背面施加力，其中，所述多个致动器包括多个第一致动器和多个第二致动器，并且所述多个第一致动器被布置为使得每个第一致动器与反射镜的中心之间的距离比反射镜的中心与反射镜的外周之间的距离的一半长。
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公开(公告)号：CN106707691A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510416093.0
申请日：2015-07-15
申请人： 上海微电子装备有限公司
CPC分类号： G03F7/2008 , G02B27/09 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/67069 , H01L21/682 , H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种曝光装置，包括曝光单元，用于对晶圆进行曝光；所述曝光单元包括照明系统和掩模，所述照明系统包括匀光单元，其特征在于，所述匀光单元包括正六边形的匀光石英棒，所述掩模的形状为与所述匀光石英棒相匹配的正六边形。本发明在相同曝光视场的情况下能够有效降低物镜场曲对焦深的影响，提高实际可使用的焦深；在投影物镜相同的焦深的情况下，扩大了曝光视场的曝光面积。
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公开(公告)号：CN105008997B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201480010206.0
申请日：2014-02-04
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2008 , G03F7/70116 , G03F7/70125 , G03F7/705 , G03F7/70508
摘要： 本文描述了一种计算机执行方法，用于改善使用光刻投影设备将设计布局的一部分成像在衬底上的光刻过程，所述方法包括：提供期望的光瞳轮廓；基于期望的光瞳轮廓计算离散的光瞳轮廓；选择对离散的光瞳轮廓的离散的改变；以及将所选择的离散的改变应用于所述离散的光瞳轮廓。根据本文公开的各个实施例的方法可以将离散优化的计算成本从O(an)减小到O(n)，其中a为常数并且n为可能导致光瞳轮廓中离散的改变的可调参量的数量。
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公开(公告)号：CN105867075A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610444231.0
申请日：2016-06-20
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/2004 , G03F7/2008 , G03F7/70033 , G03F7/70175
摘要： 毛细管放电Z箍缩极紫外光光刻光源的收集系统，涉及毛细管放电Z箍缩13.5nm极紫外光光刻光源，为了解决多层椭球面反射镜构成的收集系统的远场均匀性不好、反射率低的问题。采用WolterI型收集系统实现，包括N层圆桶状反射镜，反射镜依次共轴嵌套，每层反射镜由回转椭球面和回转双曲面连接而成，回转椭球面和回转双曲面具有一个公共的几何焦点，各层反射镜的几何焦点重合；反射镜的回转椭球面的内表面上由中心轴所在平面截取的曲线满足方程：回转双曲面的内表面上由中心轴所在平面截取的曲线满足方程：本发明的远场均匀性和反射率都得到改善，适用于收集极紫外光。
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公开(公告)号：CN105572769A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510956462.5
申请日：2015-12-21
申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
CPC分类号： G02B1/115 , G03F7/2008
摘要： 本发明涉及一种具有光谱纯化功能的极紫外多层膜，属于极紫外多层膜的设计领域。所述具有光谱纯化功能的极紫外多层膜从下至上依次包括：基底、周期性MoSi多层膜、第一光谱纯化层、Si层和第二光谱纯化层。本发明提供的具有光谱纯化功能的极紫外多层膜是在MoSi多层膜上表面引入光谱纯化层/Si/光谱纯化层的三明治结构的多层膜。该多层膜能够在对工作波长的反射率的影响较小的条件下降低对深紫外波段的反射率，进而降低系统中深紫外波段的能量，避免光刻胶对深紫外波段感光。
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公开(公告)号：CN105549339A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610095196.6
申请日：2016-02-19
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
CPC分类号： G03F7/2008 , G02F1/1303
摘要： 本发明公开了一种曝光机及用于曝光机的光学过滤器，用以改善待曝光基板上的膜层曝光后形成的图案的CD值均一性差的问题，进而减少漏光及混色发生的概率，提升产品良率。曝光机，包括第一平面镜和蝇眼，其中，还包括位于所述第一平面镜和所述蝇眼之间的光学过滤器，所述光学过滤器用于改变进入所述蝇眼中的光的照度，使得曝光间距越大，照射到待曝光基板上的光的照度越小；所述曝光间距为当掩膜板在重力作用下发生弯曲时，待曝光基板与所述掩膜板之间的距离。
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公开(公告)号：CN104749764A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410806274.X
申请日：2014-12-22
申请人： 佳能株式会社
发明人： 崔长植
CPC分类号： G03F7/2008 , G02B26/06 , G02B26/0825 , G03F7/70266
摘要： 本公开内容涉及光学装置、投影光学系统、曝光装置和制造物品的方法。本发明提供一种使反射镜的反射表面变形的光学装置，该光学装置包括：基板；固定构件，其被配置为将反射镜的包括反射镜的中心的部分固定到基板；以及多个致动器，每个致动器具有连接到反射镜的第一端和连接到基板的第二端，并且被配置为向反射镜的背面施加力，其中，所述多个致动器包括多个第一致动器和多个第二致动器，并且所述多个第一致动器被布置为使得每个第一致动器与反射镜的中心之间的距离比反射镜的中心与反射镜的外周之间的距离的一半长。
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