公开(公告)号：CN106206262A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510242735.X

申请日：2015-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李受营 ,  金泰槿 ,  都钟杰

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2004 ,  G03F1/62

Abstract: 本申请涉及一种光刻方法、一种制造半导体器件的方法以及一种用于极紫外光刻的薄膜，该薄膜可以包括薄膜片、支撑结构和处理块。薄膜片可以具有指向掩模的第一表面和与第一表面相对的第二表面。薄膜片可容许穿过掩模的极紫外光穿透该薄膜片。支撑结构可布置在薄膜片的第二表面上以支撑该薄膜片。处理块可布置在薄膜片的第一表面上。处理块可以具有配置为暴露薄膜片的开口。因此，可使用较厚的处理块而不是较薄的薄膜片对薄膜进行处理，从而可以不破坏较薄的薄膜片。因而，薄膜可以保护掩模不会受到在极紫外光刻处理中产生的副产品的影响，使得掩模不会被污染。

公开(公告)号：CN106206262B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201510242735.X

申请日：2015-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李受营 ,  金泰槿 ,  都钟杰

IPC: H01L21/027

Abstract: 本申请涉及一种光刻方法、一种制造半导体器件的方法以及一种用于极紫外光刻的薄膜，该薄膜可以包括薄膜片、支撑结构和处理块。薄膜片可以具有指向掩模的第一表面和与第一表面相对的第二表面。薄膜片可容许穿过掩模的极紫外光穿透该薄膜片。支撑结构可布置在薄膜片的第二表面上以支撑该薄膜片。处理块可布置在薄膜片的第一表面上。处理块可以具有配置为暴露薄膜片的开口。因此，可使用较厚的处理块而不是较薄的薄膜片对薄膜进行处理，从而可以不破坏较薄的薄膜片。因而，薄膜可以保护掩模不会受到在极紫外光刻处理中产生的副产品的影响，使得掩模不会被污染。

公开(公告)号：CN113567774A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110450857.3

申请日：2021-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李受营 ,  金钟敏 ,  朴日锡 ,  申光一 ,  全忠森

IPC: G01R31/00

Abstract: 公开了用于检查半导体器件的检查装置和方法。检查装置包括：载物台，其上布置有半导体器件；第一光源，其将高频光照射到半导体器件的检查区域上，以减小半导体器件中的PN结的势垒；束扫描器，被布置在半导体器件上方，并且将带电粒子束照射到半导体器件的检查区域上以产生二次电子；以及，缺陷检测器，其产生与检查区域相对应的检测图像，并且基于参考图像和多个检测图像之间的电压对比，从多个检测图像中检测缺陷图像，缺陷图像指示半导体器件的缺陷。

公开(公告)号：CN107065440B

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201610991851.6

申请日：2016-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李受营 ,  玉虫秀一 ,  金炳局 ,  安秉燮

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种系统包括孔洞阵列，包括：多个活动孔洞，所述活动孔洞中的各个孔洞被配置为选择性偏转穿过其的光束。所述系统还包括限制孔洞，被配置为使没有被活动孔洞偏转的光束通过至目标对象。所述系统还包括控制电路，被配置为控制活动孔洞以提供第一和第二不同的暴露持续时间分辨率。

公开(公告)号：CN107065440A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610991851.6

申请日：2016-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李受营 ,  玉虫秀一 ,  金炳局 ,  安秉燮

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种系统包括孔洞阵列，包括：多个活动孔洞，所述活动孔洞中的各个孔洞被配置为选择性偏转穿过其的光束。所述系统还包括限制孔洞，被配置为使没有被活动孔洞偏转的光束通过至目标对象。所述系统还包括控制电路，被配置为控制活动孔洞以提供第一和第二不同的暴露持续时间分辨率。