公开(公告)号：CN106206262A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510242735.X

申请日：2015-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李受营 ,  金泰槿 ,  都钟杰

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2004 ,  G03F1/62

Abstract: 本申请涉及一种光刻方法、一种制造半导体器件的方法以及一种用于极紫外光刻的薄膜，该薄膜可以包括薄膜片、支撑结构和处理块。薄膜片可以具有指向掩模的第一表面和与第一表面相对的第二表面。薄膜片可容许穿过掩模的极紫外光穿透该薄膜片。支撑结构可布置在薄膜片的第二表面上以支撑该薄膜片。处理块可布置在薄膜片的第一表面上。处理块可以具有配置为暴露薄膜片的开口。因此，可使用较厚的处理块而不是较薄的薄膜片对薄膜进行处理，从而可以不破坏较薄的薄膜片。因而，薄膜可以保护掩模不会受到在极紫外光刻处理中产生的副产品的影响，使得掩模不会被污染。

公开(公告)号：CN106206262B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201510242735.X

申请日：2015-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李受营 ,  金泰槿 ,  都钟杰

IPC: H01L21/027

Abstract: 本申请涉及一种光刻方法、一种制造半导体器件的方法以及一种用于极紫外光刻的薄膜，该薄膜可以包括薄膜片、支撑结构和处理块。薄膜片可以具有指向掩模的第一表面和与第一表面相对的第二表面。薄膜片可容许穿过掩模的极紫外光穿透该薄膜片。支撑结构可布置在薄膜片的第二表面上以支撑该薄膜片。处理块可布置在薄膜片的第一表面上。处理块可以具有配置为暴露薄膜片的开口。因此，可使用较厚的处理块而不是较薄的薄膜片对薄膜进行处理，从而可以不破坏较薄的薄膜片。因而，薄膜可以保护掩模不会受到在极紫外光刻处理中产生的副产品的影响，使得掩模不会被污染。