公开(公告)号：CN110718520B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN201910524384.X

申请日：2019-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任京彬 ,  金圣协 ,  金孝柱 ,  李镐昌 ,  罗正玟

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、穿透衬底的通孔、沿着通孔的内壁形成的通孔绝缘膜以及填充通孔的芯塞，其中，通孔绝缘膜的残余应力为60MPa至‑100MPa。

公开(公告)号：CN110718520A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910524384.X

申请日：2019-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任京彬 ,  金圣协 ,  金孝柱 ,  李镐昌 ,  罗正玟

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、穿透衬底的通孔、沿着通孔的内壁形成的通孔绝缘膜以及填充通孔的芯塞，其中，通孔绝缘膜的残余应力为60MPa至-100MPa。