公开(公告)号：CN109390406A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810718141.5

申请日：2018-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  崔秉夏 ,  金旲根 ,  金秀珉 ,  朴世玩 ,  李志镐

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括鳍型图案、在鳍型图案的侧壁的一部分上的场绝缘膜、以及在鳍型图案和场绝缘膜上与鳍型图案相交的栅极电极。场绝缘膜上的栅极电极包括场绝缘膜上的第一部分、第二部分和第三部分。第一部分的第一宽度随着距场绝缘膜的第一距离增大而增大，第二部分的第二宽度随着距场绝缘膜的第二距离增大而减小，并且第三部分的第三宽度随着距场绝缘膜的第三距离增大而增大或基本恒定。

公开(公告)号：CN109390406B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN201810718141.5

申请日：2018-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  崔秉夏 ,  金旲根 ,  金秀珉 ,  朴世玩 ,  李志镐

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括鳍型图案、在鳍型图案的侧壁的一部分上的场绝缘膜、以及在鳍型图案和场绝缘膜上与鳍型图案相交的栅极电极。场绝缘膜上的栅极电极包括场绝缘膜上的第一部分、第二部分和第三部分。第一部分的第一宽度随着距场绝缘膜的第一距离增大而增大，第二部分的第二宽度随着距场绝缘膜的第二距离增大而减小，并且第三部分的第三宽度随着距场绝缘膜的第三距离增大而增大或基本恒定。