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公开(公告)号：CN117293163A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310745539.9
申请日：2023-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括：有源区，在基板上在第一方向上延伸；多个半导体层，在有源区上在垂直方向上彼此间隔开，所述多个半导体层包括下半导体层和上半导体层；栅极结构，在基板上在第二方向上延伸以与有源区和所述多个半导体层交叉；以及源极/漏极区，在有源区上并接触所述多个半导体层。源极/漏极区包括第一外延层和第二外延层，第一外延层包括在下半导体层的侧表面上的第一层和提供在有源区上并接触有源区的第二层，第二外延层在第一方向上接触上半导体层的侧表面，并且第一层在第二外延层与下半导体层的侧表面之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117133807A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310589378.9
申请日：2023-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/092 , H01L29/45
Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，包括下部图案和在第一方向上与下部图案间隔开的多个片状图案；多个栅极结构，设置在下部图案上以在第二方向上彼此间隔开，每个栅极结构包括栅电极和栅极绝缘膜；源极/漏极凹陷，限定在相邻的栅极结构之间；以及填充源极/漏极凹陷的源极/漏极图案。每个源极/漏极图案可以包括沿着源极/漏极凹陷的侧壁和底表面延伸的第一半导体衬垫、在第一半导体衬垫上并沿着源极/漏极凹陷的侧壁和底表面延伸的第二半导体衬垫、以及在第二半导体衬垫上并填充源极/漏极凹陷的填充半导体膜。第二半导体衬垫可以掺有碳，第一半导体衬垫可以与下部图案和片状图案接触，同时第一半导体衬垫可以包括未碳掺杂区域。
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公开(公告)号：CN107437565A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710399194.0
申请日：2017-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4983 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823864 , H01L21/823878 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/66553
Abstract: 一种半导体器件包括：在基板上的包括第一区域和第二区域的场绝缘膜；在场绝缘膜的第一区域中的凹槽；在场绝缘膜的第二区域上的栅电极；以及沿栅电极的侧壁和凹槽的侧壁的栅间隔物。
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公开(公告)号：CN117199111A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310514951.X
申请日：2023-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体装置，包括：包括有源图案的衬底；沟道图案，其位于所述有源图案上，所述沟道图案包括多个间隔开并竖直堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，其连接到所述多个半导体图案；栅电极，其位于所述多个半导体图案上，所述栅电极包括介于所述多个半导体图案中的相邻半导体图案之间的部分；以及内间隔件，其介于所述栅电极的所述部分与所述源极/漏极图案之间，其中，所述内间隔件是由式(MO)表示的结晶金属氧化物，其中，(O)是氧原子，并且(M)是选自由Mg、Be和Ga组成的组的金属原子。
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公开(公告)号：CN117174713A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310302802.7
申请日：2023-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：鳍状有源区域；器件隔离层，覆盖位于基底上的鳍状有源区域的两个侧壁；栅极结构；纳米片结构，包括多个纳米片；以及源极/漏极区域，设置在鳍状有源区域上并且与栅极结构相邻，其中，源极/漏极区域中的每个源极/漏极区域包括顺序堆叠的缓冲层、内部杂质层和中心杂质层，其中，缓冲层填充两个竖直相邻的纳米片之间的第一凹进和鳍状有源区域的顶表面与纳米片之间的第二凹进，并且其中，所述多个纳米片接触内部杂质层的侧表面。
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