-
公开(公告)号：CN117174713A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310302802.7
申请日：2023-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：鳍状有源区域；器件隔离层，覆盖位于基底上的鳍状有源区域的两个侧壁；栅极结构；纳米片结构，包括多个纳米片；以及源极/漏极区域，设置在鳍状有源区域上并且与栅极结构相邻，其中，源极/漏极区域中的每个源极/漏极区域包括顺序堆叠的缓冲层、内部杂质层和中心杂质层，其中，缓冲层填充两个竖直相邻的纳米片之间的第一凹进和鳍状有源区域的顶表面与纳米片之间的第二凹进，并且其中，所述多个纳米片接触内部杂质层的侧表面。
Search Results
1
records
(took 0.015 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
