公开(公告)号：CN117133807A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310589378.9

申请日：2023-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奇奂 ,  金镜浩 ,  文康薰 ,  李峭蒑 ,  全勇昱

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L29/45

Abstract: 一种半导体器件包括：有源图案，包括下部图案和在第一方向上与下部图案间隔开的多个片状图案；多个栅极结构，设置在下部图案上以在第二方向上彼此间隔开，每个栅极结构包括栅电极和栅极绝缘膜；源极/漏极凹陷，限定在相邻的栅极结构之间；以及填充源极/漏极凹陷的源极/漏极图案。每个源极/漏极图案可以包括沿着源极/漏极凹陷的侧壁和底表面延伸的第一半导体衬垫、在第一半导体衬垫上并沿着源极/漏极凹陷的侧壁和底表面延伸的第二半导体衬垫、以及在第二半导体衬垫上并填充源极/漏极凹陷的填充半导体膜。第二半导体衬垫可以掺有碳，第一半导体衬垫可以与下部图案和片状图案接触，同时第一半导体衬垫可以包括未碳掺杂区域。

公开(公告)号：CN117199111A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310514951.X

申请日：2023-05-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镜浩 ,  金奇奂 ,  文康薰 ,  李峭蒑 ,  全勇昱

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体装置，包括：包括有源图案的衬底；沟道图案，其位于所述有源图案上，所述沟道图案包括多个间隔开并竖直堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，其连接到所述多个半导体图案；栅电极，其位于所述多个半导体图案上，所述栅电极包括介于所述多个半导体图案中的相邻半导体图案之间的部分；以及内间隔件，其介于所述栅电极的所述部分与所述源极/漏极图案之间，其中，所述内间隔件是由式(MO)表示的结晶金属氧化物，其中，(O)是氧原子，并且(M)是选自由Mg、Be和Ga组成的组的金属原子。

公开(公告)号：CN115706149A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210628825.2

申请日：2022-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奇奂 ,  柳廷昊 ,  李峭蒑 ,  全勇昱 ,  曺荣大

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，具有下部图案和在第一方向上与下部图案间隔开的片状图案；源/漏图案，在下部图案上，源/漏图案与片状图案接触；以及栅极结构，在源/漏图案的相对侧上，栅极结构沿第二方向彼此间隔开并且包括围绕片状图案的栅电极，其中，源/漏图案包括：第一外延区域，具有锑和铋中的至少一种，第一外延区域具有与下部图案接触但不与片状图案接触的底部，并且底部的厚度在第二方向上远离栅极结构增大然后减小；以及第二外延区域，在第一外延区域上，第二外延区域包括磷。