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公开(公告)号：CN109003914A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810567895.5
申请日：2018-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: C30B25/12 , C23C16/4585 , H01L29/0847 , H01L29/66636 , H01L29/66795 , H01L21/67011
Abstract: 半导体工艺室包括基座、围绕基座的基底板、在基底板的内侧壁上的衬垫、以及在基座与基底板之间且与基座共面的预热环。工艺室还包括联接到基底板并覆盖基座的上表面的上部圆顶。上部圆顶包括在基底板的上表面上的第一部分和从第一部分延伸并交叠基座的第二部分。第一部分包括在基底板的上表面上的第一区域、从第一区域延伸超过基底板的第二区域、以及从第二区域以减小的厚度延伸以接触第二部分的第三区域。
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公开(公告)号：CN103298909A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201180055806.5
申请日：2011-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/504 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H05B33/14 , H01L2924/00014
Abstract: 提供了具有优良的热和化学稳定性与优异的发光效率的红色磷光体，其中，该红色磷光体包括以组成式Az(Sr,M)2(Si,Al)O4-xNy:R（0
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公开(公告)号：CN110600472B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201910427945.4
申请日：2019-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/77
Abstract: 本发明公开了一种集成电路器件以及制造集成电路器件的方法，其中该集成电路器件包括：鳍型有源区，在衬底上沿着平行于衬底的顶表面的第一方向延伸；栅极结构，在鳍型有源区上延伸，并且沿着平行于衬底的顶表面且不同于第一方向的第二方向延伸；以及源极/漏极区，在从栅极结构的一侧延伸到鳍型有源区中的凹入区域中，源极/漏极区包括：在凹入区域的内壁上的上半导体层，具有第一杂质浓度，并且包括间隙；以及间隙填充半导体层，其填充间隙并且具有大于第一杂质浓度的第二杂质浓度。
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公开(公告)号：CN116913873A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202211616740.9
申请日：2022-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一有源图案；第一沟道图案，所述第一沟道图案位于所述第一有源图案上，并且包括彼此间隔开并且垂直堆叠的第一半导体图案、第二半导体图案和第三半导体图案；第一源极/漏极图案，所述第一源极/漏极图案连接到所述第一半导体图案至所述第三半导体图案；以及栅电极，所述栅电极位于所述第一半导体图案至所述第三半导体图案上。所述第一源极/漏极图案包括朝向所述第一半导体图案突出的第一突起、朝向所述第二半导体图案突出的第二突起、以及朝向所述第三半导体图案突出的第三突起。所述第二突起的宽度大于所述第一突起的宽度。所述第三突起的宽度大于所述第二突起的宽度。
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公开(公告)号：CN108231891B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201711108354.8
申请日：2017-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/45 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括：衬底，所述衬底具有有源区；栅极结构，所述栅极结构设置在所述有源区上；源/漏区，所述源/漏区分别形成在所述有源区的在所述栅极结构的两侧的部分内；金属硅化物层，所述金属硅化物层设置在每个所述源/漏区的表面上；以及接触栓，所述接触栓设置在所述源/漏区上并且通过所述金属硅化物层分别电连接至所述源/漏区。所述金属硅化物层被形成为具有单晶结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102216421B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN200980140497.4
申请日：2009-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7774 , C09K11/7792 , H05B33/14
Abstract: 提供了一种制备能够被控制为显示诸如高亮度和期望的粒度分布的特性的β-SiAlON磷光体的方法。β-SiAlON磷光体由式Si(6-x)AlxOyN(8-y):Lnz表示(其中，Ln是稀土元素，并且满足下面的要求：0＜x≤4.2，0＜y≤4.2且0＜z≤1.0)，制备该β-SiAlON磷光体的方法包括：混合起始物料，以制备原料混合物；在含氮气氛的气体中加热原料混合物，其中，所述起始物料包括主原料和至少一种激活剂原料，主原料包括硅原料和至少一种铝原料，硅原料包括金属硅，所述至少一种铝原料选自于由金属铝和铝化合物组成的组，所述至少一种激活剂原料选自于用于激活主原料的稀土元素。
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公开(公告)号：CN110349849B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201910163957.0
申请日：2019-03-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 爱思开新材料有限公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/316 , H01L21/318 , C23C16/455 , F17C1/04 , F17D1/02 , F17D3/01
Abstract: 提供了气体存储罐、沉积系统和制造半导体装置的方法。所述制造半导体装置的方法包括以下步骤：将存储一氯硅烷的气体存储罐设置在气体供应单元内；以及将一氯硅烷从气体存储罐供应到处理腔室中以在处理腔室中形成含硅层。气体存储罐包括锰。
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公开(公告)号：CN110299358B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201910068503.5
申请日：2019-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该器件包括：从衬底突出的有源图案；多个栅极结构，每个栅极结构包括栅电极并交叉有源图案；以及在所述多个栅极结构之间的源极/漏极区域，其中源极/漏极区域包括与有源图案中的凹陷区域的底表面接触的高浓度掺杂层、与高浓度掺杂层的上表面和凹陷区域的侧壁接触的第一外延层、以及在第一外延层上的第二外延层，并且高浓度掺杂层具有与凹陷区域的底表面接触的第一区域以及与凹陷区域的侧壁接触的第二区域，第一区域比第二区域宽。
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公开(公告)号：CN112054057A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010106539.0
申请日：2020-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的器件隔离层，所述器件隔离层限定第一有源图案；位于所述第一有源图案上的成对的第一源极/漏极图案，所述成对的第一源极/漏极图案在第一方向上彼此间隔开，并且所述成对的第一源极/漏极图案中的每个第一源极/漏极图案在所述第一方向上具有最大第一宽度；位于所述成对的第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案；位于所述第一沟道图案上并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的栅电极；以及位于所述第一有源图案中的第一非晶区，所述第一非晶区位于所述成对的第一源极/漏极图案中的至少一个第一源极/漏极图案下方，并且所述第一非晶区在所述第一方向上具有小于所述最大第一宽度的最大第二宽度。
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公开(公告)号：CN110349849A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910163957.0
申请日：2019-03-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 爱思开新材料有限公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/316 , H01L21/318 , C23C16/455 , F17C1/04 , F17D1/02 , F17D3/01
Abstract: 提供了气体存储罐、沉积系统和制造半导体装置的方法。所述制造半导体装置的方法包括以下步骤：将存储一氯硅烷的气体存储罐设置在气体供应单元内；以及将一氯硅烷从气体存储罐供应到处理腔室中以在处理腔室中形成含硅层。气体存储罐包括锰。
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