公开(公告)号：CN110600472B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201910427945.4

申请日：2019-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵真英 ,  金锡勋 ,  柳廷昊 ,  李承勋 ,  郑根熙

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明公开了一种集成电路器件以及制造集成电路器件的方法，其中该集成电路器件包括：鳍型有源区，在衬底上沿着平行于衬底的顶表面的第一方向延伸；栅极结构，在鳍型有源区上延伸，并且沿着平行于衬底的顶表面且不同于第一方向的第二方向延伸；以及源极/漏极区，在从栅极结构的一侧延伸到鳍型有源区中的凹入区域中，源极/漏极区包括：在凹入区域的内壁上的上半导体层，具有第一杂质浓度，并且包括间隙；以及间隙填充半导体层，其填充间隙并且具有大于第一杂质浓度的第二杂质浓度。

公开(公告)号：CN110600472A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910427945.4

申请日：2019-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵真英 ,  金锡勋 ,  柳廷昊 ,  李承勋 ,  郑根熙

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明公开了一种集成电路器件以及制造集成电路器件的方法，其中该集成电路器件包括：鳍型有源区，在衬底上沿着平行于衬底的顶表面的第一方向延伸；栅极结构，在鳍型有源区上延伸，并且沿着平行于衬底的顶表面且不同于第一方向的第二方向延伸；以及源极/漏极区，在从栅极结构的一侧延伸到鳍型有源区中的凹入区域中，源极/漏极区包括：在凹入区域的内壁上的上半导体层，具有第一杂质浓度，并且包括间隙；以及间隙填充半导体层，其填充间隙并且具有大于第一杂质浓度的第二杂质浓度。