公开(公告)号：CN116093107A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211241779.7

申请日：2022-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许洋 ,  赵南奎 ,  金锡勳 ,  金容丞 ,  朴判貴 ,  申东石 ,  李相吉 ,  李始炯

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个鳍式图案，在基底上在第一方向上彼此间隔开并在第二方向上延伸；场绝缘层，覆盖多个鳍式图案的侧壁并设置在鳍式图案之间；源极/漏极图案，在场绝缘层上连接到多个鳍式图案，源极/漏极图案包括分别连接到鳍式图案的底表面和将底表面彼此连接的至少一个连接表面；以及密封绝缘图案，沿着源极/漏极图案的连接表面和场绝缘层的上表面延伸，其中，源极/漏极图案包括掺杂有p型杂质的硅锗图案。

公开(公告)号：CN111933683B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202010084287.6

申请日：2020-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎居明 ,  朴判貴 ,  李承勋

IPC: H10D62/10 ,  H10D62/13 ,  H10D30/62

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：在第一方向上纵向延伸的鳍型有源区；在鳍型有源区的鳍顶表面上在第二方向上彼此交叠的多个纳米片；以及在鳍型有源区上并在第一方向上面向所述多个纳米片的源极/漏极区域。所述多个纳米片包括所述多个纳米片当中最靠近鳍型有源区的鳍顶表面并在第一方向上具有最短长度的第一纳米片。源极/漏极区域包括源极/漏极主区域以及从源极/漏极主区域突出的第一源极/漏极突出区域。第一源极/漏极突出区域从源极/漏极主区域朝着第一纳米片突出并在第二方向上与所述多个纳米片的部分交叠。

公开(公告)号：CN111933683A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010084287.6

申请日：2020-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 慎居明 ,  朴判貴 ,  李承勋

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：在第一方向上纵向延伸的鳍型有源区；在鳍型有源区的鳍顶表面上在第二方向上彼此交叠的多个纳米片；以及在鳍型有源区上并在第一方向上面向所述多个纳米片的源极/漏极区域。所述多个纳米片包括所述多个纳米片当中最靠近鳍型有源区的鳍顶表面并在第一方向上具有最短长度的第一纳米片。源极/漏极区域包括源极/漏极主区域以及从源极/漏极主区域突出的第一源极/漏极突出区域。第一源极/漏极突出区域从源极/漏极主区域朝着第一纳米片突出并在第二方向上与所述多个纳米片的部分交叠。