公开(公告)号：CN109216460B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201810688390.4

申请日：2018-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东宇 ,  卢炫昊 ,  金容丞 ,  申东石 ,  李宽钦 ,  曹裕英

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/165 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：在包括负沟道场效应晶体管(nFET)区域和正沟道场效应晶体管(pFET)区域的衬底上的鳍结构；在鳍结构上的栅极结构；以及与栅极结构相邻的源极/漏极结构，其中形成在nFET区域中的源极/漏极结构是包括浓度为大约1.8×1021/cm3或更高的n型杂质的外延层，在源极/漏极结构的外部分中包括硅(Si)和锗(Ge)，并且在源极/漏极结构的内部分中包括Si但不包括Ge，其中源极/漏极结构的与最上表面接触的倾斜表面与鳍结构的顶表面形成约54.7°的角度。

公开(公告)号：CN113130629A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202010998536.2

申请日：2020-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河龙 ,  金东宇 ,  金傔 ,  金容丞 ,  朴判贵 ,  李承勋

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件，包括：有源图案，在第一方向上延伸；沟道图案，在有源图案上，并且包括竖直堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，在有源图案中的凹部中；栅电极，在有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，栅电极围绕每个半导体图案的顶表面、至少一个侧表面和底表面；以及栅极间隔物，覆盖栅电极的侧表面，并且具有向半导体图案的开口，其中，源极/漏极图案包括覆盖凹部的内侧的缓冲层，缓冲层包括彼此相对的外侧表面和内侧表面，并且外侧表面和内侧表面中的每一个是朝向栅电极凸出地弯曲的弯曲表面。

公开(公告)号：CN116487429A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202211558963.4

申请日：2022-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东石 ,  刘贤琯 ,  金锡勳 ,  朴判贵 ,  金容丞 ,  金正泽

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，包括沿第一方向延伸的下图案和在第二方向上与下图案间隔开的多个片图案；栅极结构，在下图案上且包括栅极绝缘层、栅极间隔件和沿与第一方向垂直的第三方向延伸的栅电极；源极/漏极图案，在下图案上且与每个片图案和栅极绝缘层接触；以及第一蚀刻阻挡图案，在栅极间隔件与源极/漏极图案之间。栅极间隔件包括面对栅电极并沿第三方向延伸的内侧壁和沿第一方向从栅极间隔件的内侧壁延伸的连接侧壁。源极/漏极图案包括在半导体衬垫层上的半导体填充层，半导体衬垫层与片图案接触且包括从栅极间隔件的连接侧壁延伸的刻面表面。第一蚀刻阻挡图案与半导体衬垫层的刻面表面和连接侧壁接触。

公开(公告)号：CN109216460A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810688390.4

申请日：2018-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东宇 ,  卢炫昊 ,  金容丞 ,  申东石 ,  李宽钦 ,  曹裕英

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/165 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：在包括负沟道场效应晶体管(nFET)区域和正沟道场效应晶体管(pFET)区域的衬底上的鳍结构；在鳍结构上的栅极结构；以及与栅极结构相邻的源极/漏极结构，其中形成在nFET区域中的源极/漏极结构是包括浓度为大约1.8×1021/cm3或更高的n型杂质的外延层，在源极/漏极结构的外部分中包括硅(Si)和锗(Ge)，并且在源极/漏极结构的内部分中包括Si但不包括Ge，其中源极/漏极结构的与最上表面接触的倾斜表面与鳍结构的顶表面形成约54.7°的角度。

公开(公告)号：CN115910926A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210979114.X

申请日：2022-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许洋 ,  赵南奎 ,  金锡勋 ,  金容丞 ,  朴判贵 ,  申东石 ,  李相吉 ,  李始炯

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括：第一鳍形图案，在衬底的第一区域中并在第一方向上彼此间隔开；第二鳍形图案，在衬底的第二区域中并在第二方向上彼此间隔开；第一场绝缘膜，在衬底上并覆盖第一鳍形图案的侧壁；第二场绝缘膜，在衬底上并覆盖第二鳍形图案的侧壁；第一源极/漏极图案，在第一场绝缘膜上、连接到第一鳍形图案并包括第一硅锗图案；以及第二源极/漏极图案，在第二场绝缘膜上、连接到第二鳍形图案并包括第二硅锗图案，第二源极/漏极图案和第二场绝缘膜在其间限定一个或更多个第一气隙。

公开(公告)号：CN116093107A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211241779.7

申请日：2022-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许洋 ,  赵南奎 ,  金锡勳 ,  金容丞 ,  朴判貴 ,  申东石 ,  李相吉 ,  李始炯

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个鳍式图案，在基底上在第一方向上彼此间隔开并在第二方向上延伸；场绝缘层，覆盖多个鳍式图案的侧壁并设置在鳍式图案之间；源极/漏极图案，在场绝缘层上连接到多个鳍式图案，源极/漏极图案包括分别连接到鳍式图案的底表面和将底表面彼此连接的至少一个连接表面；以及密封绝缘图案，沿着源极/漏极图案的连接表面和场绝缘层的上表面延伸，其中，源极/漏极图案包括掺杂有p型杂质的硅锗图案。

公开(公告)号：CN112530944A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010643649.0

申请日：2020-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承烈 ,  金容丞 ,  金正泽 ,  朴判贵 ,  徐东灿 ,  梁炆承 ,  郑谞珍 ,  崔珉姬 ,  河龙

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，从衬底突出并沿第一方向延伸；多个半导体图案，与鳍型有源区的上表面分开设置，所述多个半导体图案均包括沟道区；栅电极，围绕所述多个半导体图案，在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并且包括主栅电极和子栅电极，其中所述主栅电极设置在所述多个半导体图案中的最上方半导体图案上并在第二方向上延伸，且所述子栅电极设置在多个半导体图案之间；第一间隔结构，设置在所述主栅电极的两个侧壁上；以及源极区/漏极区，与所述多个半导体图案相连，设置在所述栅电极的两侧，并接触所述间隔结构的底表面。

公开(公告)号：CN112071911A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010361342.1

申请日：2020-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁炆承 ,  崔恩憓 ,  姜承模 ,  金容丞 ,  金正泽 ,  崔珉姬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10

Abstract: 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：鳍型图案，位于基底上，鳍型图案在第一方向上延伸并且在第三方向上从基底突出；第一布线图案，位于鳍型图案上，第一布线图案在第三方向上与鳍型图案间隔开；以及栅电极，在垂直于第一方向和第三方向的第二方向上延伸并且围绕第一布线图案，栅电极包括在第二方向上与鳍型图案叠置的第一部分以及与栅电极的除了所述第一部分之外的其余部分对应的第二部分。