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公开(公告)号：CN101354915A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810094944.4
申请日：2008-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了相变存储器件、使用该存储器件的存储系统和读取该存储器件的方法。其中，存储器件包括：多个存储单元，每个存储单元包括存储单元材料，所述存储单元具有响应于在编程操作中施加的编程电流而确定的初始电阻，所述存储单元的电阻在所述编程操作后的时段上从所述初始电阻变化，并且每个存储单元连接到存储器件的导通线，所述导通线用于在编程操作中施加编程电流以编程对应的存储单元的电阻，并且用于在读取操作中施加读取电流以读取对应的存储单元的电阻。修改电路修改用于读取操作而选择的多个存储单元的存储单元的电阻，以在所述存储单元的读取操作之前将其电阻返回到接近初始电阻。
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公开(公告)号：CN101533892A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910127435.1
申请日：2009-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1675 , G11C11/5664 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 提供了一种电阻式存储器器件以及形成该电阻式存储器器件的方法，可以用高集成度集成该电阻式存储器器件。包围电阻式存储器元件的绝缘层和包围与该电阻式存储器元件连接的导线的绝缘层具有不同的应力、硬度、孔隙度、介电常数或导热率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101345083A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810135807.0
申请日：2008-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郑基泰
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2013/0054
Abstract: 提供了一种相变存储器器件及其读取方法。相变存储器器件的示例实施例可包括：主单元，被编程为具有分别对应于多比特数据的多个电阻状态中的任何一个；参考单元，每当对主单元被编程时，该参考单元被编程为具有电阻状态当中的至少两个分别不同的电阻状态；以及参考电压产生电路，检测参考单元以产生用于标识每个电阻状态的参考电压。
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公开(公告)号：CN1747060A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510091996.2
申请日：2005-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供用于操作包括存储单元的磁随机存取存储器件的方法，该存储单元具有在衬底上的磁隧道结结构的。具体，可以通过磁隧道结结构提供写电流脉冲，以及可以通过磁隧道结结构提供写磁场脉冲。此外，至少部分写磁场脉冲可以相对于至少部分写电流脉冲及时重叠，以及至少部分写电流脉冲和/或至少部分写磁场脉冲彼此可以不及时重叠。还论述了相关的器件。
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公开(公告)号：CN101345083B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN200810135807.0
申请日：2008-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郑基泰
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2013/0054
Abstract: 提供了一种相变存储器器件及其读取方法。相变存储器器件的示例实施例可包括：主单元，被编程为具有分别对应于多比特数据的多个电阻状态中的任何一个；参考单元，每当对主单元被编程时，该参考单元被编程为具有电阻状态当中的至少两个分别不同的电阻状态；以及参考电压产生电路，检测参考单元以产生用于标识每个电阻状态的参考电压。
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公开(公告)号：CN101354915B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200810094944.4
申请日：2008-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了相变存储器件、使用该存储器件的存储系统和读取该存储器件的方法。其中，存储器件包括：多个存储单元，每个存储单元包括存储单元材料，所述存储单元具有响应于在编程操作中施加的编程电流而确定的初始电阻，所述存储单元的电阻在所述编程操作后的时段上从所述初始电阻变化，并且每个存储单元连接到存储器件的导通线，所述导通线用于在编程操作中施加编程电流以编程对应的存储单元的电阻，并且用于在读取操作中施加读取电流以读取对应的存储单元的电阻。修改电路修改用于读取操作而选择的多个存储单元的存储单元的电阻，以在所述存储单元的读取操作之前将其电阻返回到接近初始电阻。
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公开(公告)号：CN1747060B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200510091996.2
申请日：2005-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供用于操作包括存储单元的磁随机存取存储器件的方法，该存储单元具有在衬底上的磁隧道结结构的。具体，可以通过磁隧道结结构提供写电流脉冲，以及可以通过磁隧道结结构提供写磁场脉冲。此外，至少部分写磁场脉冲可以相对于至少部分写电流脉冲及时重叠，以及至少部分写电流脉冲和/或至少部分写磁场脉冲彼此可以不及时重叠。还论述了相关的器件。
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