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公开(公告)号：CN1187725A
公开(公告)日：1998-07-15
申请号：CN97120098.X
申请日：1997-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴哉炫
IPC: H04L12/433 , H04Q11/04
Abstract: 一种在ATM交换系统中利用自适应自动路由选择控制算法的扩充环形榕树网路,其第q(q≥1,整数)扩充级的各规定开关元件分别接环形榕树网路中最后一级的开关元件,其第q+1扩充级的各规定开关元件分别接第q扩充级的规定开关元件,其中各开关元件的输出链路和链式输出链路的布局如下:β1[(Pl,Pl－1,…,P1]i)=(Pl,Pl－1,…,P1)i+1与链路(Pl,Pl－1,…,P1,1)i连接,β0[(Pl,Pl－1,…,P1)i]=(Pl,Pl－1,…,P1)i+1与链路(Pl,Pl－1，…,P1,0)i连接,假设l=(log2N)－1,i≥l+1,γ1[ni,j]=nj,(j+1)mod(N/2)。
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公开(公告)号：CN109872995B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201811381430.7
申请日：2018-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了存储器件。一种存储器件包括在基板上处于第一水平面的第一单元块以及在基板上处于不同于第一水平面的第二水平面的第二单元块。第一单元块和第二单元块中的每个包括：在第一方向上延伸的字线，该第一方向平行于基板的顶表面；连接到字线在第一方向上的中心点的字线接触；在第二方向上延伸的位线，该第二方向平行于基板的顶表面并与第一方向交叉；连接到位线在第二方向上的中心点的位线接触；以及在字线和位线之间的存储单元。第二单元块在第一方向和第二方向中的至少一个上从第一单元块偏移。
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公开(公告)号：CN1747060B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200510091996.2
申请日：2005-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 提供用于操作包括存储单元的磁随机存取存储器件的方法，该存储单元具有在衬底上的磁隧道结结构的。具体，可以通过磁隧道结结构提供写电流脉冲，以及可以通过磁隧道结结构提供写磁场脉冲。此外，至少部分写磁场脉冲可以相对于至少部分写电流脉冲及时重叠，以及至少部分写电流脉冲和/或至少部分写磁场脉冲彼此可以不及时重叠。还论述了相关的器件。
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公开(公告)号：CN100456512C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200410095711.8
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 提供了相变存储器件和制造相变存储器件的方法，相变存储器件包括布置在衬底上的加热电极。加热电极包括加热电极中的电极孔。相变材料图形设置在电极孔中并接触电极孔的侧壁。在某些实施例中，电极孔贯穿加热电极。在某些实施例中，相可变材料图形仅仅在电极孔的侧壁处接触电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101826544B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201010002115.6
申请日：2010-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
CPC classification number: H01L45/124 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/141 , H01L45/1691
Abstract: 本发明提供了一种半导体相变存储器件。半导体相变存储器件包括：数据线，设置在半导体基板上；以及数据存储结构，设置在数据线之下并具有在沿数据线的方向上延伸的凹部。数据接触结构构造为接触数据存储结构，并具有填充数据存储结构的凹部的下部以及至少围绕数据线的下部的上部。数据存储结构的每个侧壁设置在与数据接触结构的上部的相应一个侧壁基本相同的平面。
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公开(公告)号：CN101826544A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010002115.6
申请日：2010-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
CPC classification number: H01L45/124 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/141 , H01L45/1691
Abstract: 本发明提供了一种半导体相变存储器件。半导体相变存储器件包括：数据线，设置在半导体基板上；以及数据存储结构，设置在数据线之下并具有在沿数据线的方向上延伸的凹部。数据接触结构构造为接触数据存储结构，并具有填充数据存储结构的凹部的下部以及至少围绕数据线的下部的上部。数据存储结构的每个侧壁设置在与数据接触结构的上部的相应一个侧壁基本相同的平面。
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公开(公告)号：CN100559605C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200610172083.8
申请日：2006-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 一种相变随机存取存储器(PRAM)器件，包括：硫族材料的化合物元件，该硫族材料的化合物元件包括能够基于加热电流的应用而呈现晶体状态或非晶状态的材料。第一接触，连接到硫族材料的化合物元件的第一区域，并具有第一横截面。第二接触，连接到硫族材料的化合物元件的第二区域，并具有第二横截面。硫族材料的化合物材料的第一可编程体积限定在硫族材料的化合物元件的第一区域中，第一可编程体积的状态可以根据与第一接触相关联的阻抗来编程。硫族材料的化合物材料的第二可编程体积限定在硫族材料的化合物元件的第二区域中，第二可编程体积的状态可以根据与第二接触相关联的第二阻抗来编程。
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公开(公告)号：CN1622360A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410095711.8
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 提供了相变存储器件和制造相变存储器件的方法，相变存储器件包括布置在衬底上的加热电极。加热电极包括加热电极中的电极孔。相变材料图形设置在电极孔中并接触电极孔的侧壁。在某些实施例中，电极孔贯穿加热电极。在某些实施例中，相可变材料图形仅仅在电极孔的侧壁处接触电极。
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